[发明专利]一种化学气相沉积法制备的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族光催化材料

权利要求书

1.一种掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族光催化材料，其特征在于：采用化学气相沉积法制备得到的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族化合物薄片，其为氩气气氛下生成Ca掺杂的InSe、InS、GaSe和GaS中的任意一种；

所述掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族光催化材料的制备方法包括以下步骤：

(1)将前驱物以及银箔基底按照气流方向分别放置在高温管式炉的四温区中；其中，四温区分别放置S源和Se源中的一种、In源和Ga源中的一种、Ca源以及银箔基底；

(2)将反应腔的真空度抽至6.5KPa，通入氩气对高温管式炉的反应腔进行清洗；

(3)通入氩气和氢气，同时加热四温区的高温管式炉，反应生成的Ca掺杂InSe、InS、GaSe和GaS中的任意一种，沉积于银箔基底上；

(4)自然冷却至室温后同时关闭氩气和氢气，即在银箔基底上得到掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族光催化材料；

步骤(1)所述的S源是S粉；所述的Se源是Se粉；所述的In源是粉体In₂O₃；所述的Ga源是三乙基镓；所述的Ca源是Ca粉。

2.根据权利要求1所述的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族光催化材料，其特征在于，步骤(1)所述的银箔基底预先进行处理，其包括，将银箔基底放入NaOH溶液中清洗，后在去离子水溶液中进行超声清洗，再将清洗完毕的基底进行高温预退火处理。

3.根据权利要求1所述的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族光催化材料，其特征在于，步骤(3)通入氩气和氢气的流速分别为50-60sccm和10-30sccm。

4.根据权利要求1所述的掺Ca正交相Ⅲ-Ⅵ族光催化材料，其特征在于，步骤(3)所述的S源的加热温度为170-200℃；所述的Se源的加热温度为240-280℃；所述的In源的加热温度为610-650℃；所述的Ga源的加热温度为80-110℃；所述的Ca源的加热温度为630-670℃，所述银箔基底的加热温度为650-700℃。