[发明专利]一种像素结构、图像传感器及终端

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：至少一个光电二极管和读出电路；

所述至少一个光电二极管的感光区域与所述像素结构的进光口相对，用于吸收至少一种特定波长的光信号，将吸收到的光信号转化为电信号；其中，感光区域尺寸不同的光电二极管所能吸收的特定波长的光信号不同；

所述读出电路与所述至少一个光电二极管相连，用于读出所述至少一个光电二极管的电信号；

所述至少一个光电二极管具体用于根据感光区域的共振波长吸收至少一种特定波长的光信号；其中，所述共振波长为所述光电二极管的感光区域发生共振吸收时的波长；不同尺寸的感光区域对应不同的共振波长；

其中，所述像素结构为亚波长像素结构，所述像素结构正方形进光口的边长小于所述特定波长。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构包括至少两个光电二极管时，所述至少两个光电二极管用于将至少两种特定波长的光信号转化为电信号。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述至少一个光电二极管包括：第一类光电二极管、第二类光电二极管和第三类光电二极管；

其中，所述第一类光电二极管的感光区域尺寸为第一尺寸，用于吸收第一种特定波长的光信号；

所述第二类光电二极管的感光区域尺寸为第二尺寸，用于吸收第二种特定波长的光信号；

所述第三类光电二极管的感光区域尺寸为第三尺寸，用于吸收第三种特定波长的光信号。

4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一种特定波长的光信号为蓝光，所述第二种特定波长的光信号为绿光，所述第三种特定波长的光信号为红光时，所述第一尺寸小于所述第二尺寸，所述第二尺寸小于第三尺寸。

5.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一类光电二极管的数量、所述第二类光电二极管的数量与所述第三类光电二极管的数量不完全相同。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构包含一个光电二极管时，所述像素结构还包括滤光片；

所述滤光片位于所述光电二极管的感光区域与所述进光口之间，用于对所述进光口的入射光线进行过滤，得到一种能被所述光电二极管吸收的特定波长的光信号；

所述感光区域的面积小于所述进光口的横截面积。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述光电二极管形状为圆柱；其中，所述光电二极管的感光区域为所述圆柱的其中一个圆形底面。

8.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括上述权利要求1至7中任一项所述的像素结构。

9.一种终端，其特征在于，所述终端包括上述权利要求8中所述的图像传感器。