[发明专利]一种降低链式制绒化学品耗量的方法

权利要求书

1.一种降低链式制绒化学品耗量的方法，其特征在于，所述方法包括：

在金刚线多晶硅片的链式制绒过程中，控制所述金刚线多晶硅片的一侧表面与腐蚀液液面相距n且不接触，n大于30um，金刚线多晶硅片的另一侧表面接触腐蚀液，且距离腐蚀液液面m，m大于40um。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，n为30～120um；

优选地，m为40～150；

优选地，金刚线多晶硅片的厚度为120～200um，优选为160～180um；

在负压抽风环境下，所述金刚线多晶硅片一侧表面与腐蚀液液面相距30～120um且不接触；

优选地，采用链式制绒机，将腐蚀液置于制绒槽中，并确保制绒槽中的液面与所述金刚线多晶硅片一侧表面相距30～120um且不接触。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述腐蚀液为氢氟酸、硝酸和水的混合溶液；

优选地，所述腐蚀液由氢氟酸、硝酸和去离子水按体积比(1～2):(3～8):(2～6)配制而成，所述氢氟酸的质量分数为48～50％，优选为49％，所述硝酸的质量分数为68～70％，优选为69％；

优选地，所述腐蚀液由氢氟酸、硝酸和去离子水按体积比1.5:4:3配制而成；

优选地，采用所述腐蚀液对金刚线多晶硅片的两侧表面进行制绒时，两侧表面独立地满足如下条件：温度为5～30℃，反应时间为60～300s。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，在链式制绒前，对金刚线多晶硅片进行单面抛光处理；

优选地，采用抛光液进行抛光处理；

优选地，所述抛光液为碱抛光液或酸抛光液，优选为碱抛光液；

优选地，所述碱抛光液的化学组成为：氢氧化钾和去离子水的混合液，混合液中氢氧化钠钾的质量分数为8～25％；

优选地，所述酸抛光液为氢氟酸、硝酸和去离子水按体积比1:(4～6):(1～3)配制成的混合液，所述氢氟酸的质量分数为48～50％，优选为49％，所述硝酸的质量分数为68～70％，优选为69％；

优选地，采用碱抛光液进行碱抛光处理，所述碱抛光处理的反应温度为40～100℃，反应时间为50～300s。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，采用链式制绒机，将抛光液置于抛光槽中，进行单面抛光处理。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，在链式制绒前，单面抛光之后，对金刚线多晶硅片进行两侧表面清洗的步骤；

优选地，采用去离子水进行清洗；

优选地，所述清洗包括金刚线多晶硅片的两侧表面。

7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，在链式制绒前，对金刚线多晶硅片进行高硬度颗粒修饰，所述高硬度为：摩氏硬度≥9；

优选地，所述高硬度颗粒修饰的方法为：采用喷嘴喷射高硬度颗粒，或者将金刚线多晶硅片放置在含高硬度颗粒的溶液中进行超声，优选采用喷嘴喷射高硬度颗粒的方法；

优选地，所述喷射使用的喷嘴内径为5～8mm，喷射压力为0.3～0.5MPa，喷射时间为2～5s；

优选地，所述高硬度颗粒包括碳化硅颗粒、氮化硼颗粒、碳化硼颗粒或碳化钨颗粒中的任意一种或至少两种的组合，优选为碳化硅颗粒；

优选地，所述高硬度颗粒的粒径为5um～10um。

8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，在链式制绒前，对金刚线多晶硅片进行单面抛光处理，然后在此面进行高硬度颗粒修饰；

或者，在链式制绒前，依次对金刚线多晶硅片进行单面抛光处理、两侧表面清洗、对抛光一侧的表面进行高硬度颗粒修饰。

9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，高硬度颗粒修饰之后，对此修饰表面进行清洗；

优选地，采用去离子水进行清洗。

10.根据权利要求1-9任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

(1)采用链式制绒机，将碱抛光液置于抛光槽中，对金刚线多晶硅片的下表面进行抛光处理，上表面不进行抛光处理，碱抛光液反应温度为40～100℃，反应时间为50～300s，经此步骤实现了对下表面的单面抛光，而上表面未经抛光，仍为原始的未经处理的表面；

所述金刚线多晶硅片的厚度为160～180um；

(2)采用水，对金刚线多晶硅片的两侧表面进行清洗；

(3)利用翻片机对金刚线多晶硅片进行180度翻转，这时硅片下表面为原始的未经处理的表面，这时硅片的上表面为经过前述抛光处理的表面；

(4)对步骤(3)所述下表面，用喷嘴均匀喷射碳化硅颗粒，然后用去离子水喷洗；

(5)对经步骤(4)处理后的下表面进行酸腐蚀从而实现制绒，将腐蚀液置于制绒槽中，调节滚轮及溢流挡板的位置以确保制绒槽中的腐蚀液液面距离所述金刚线多晶硅片表面30～120um，在负压抽风环境下进行，始终保证腐蚀液液面不接触金刚线多晶硅片表面，下表面与腐蚀液接触，在此条件下，上表面不参与任何反应，只有下表面参与反应，所得硅片的上表面为反射率高的抛光面，下表面为反射率低的绒面结构，从而达到了降低链式制绒化学品耗量的目的；

所述腐蚀液为氢氟酸、硝酸和水的混合溶液；

针对下表面的腐蚀，满足如下条件：酸腐蚀的温度为5～30℃，反应时间为60～300s；

(6)对所得金刚线多晶硅片进行去离子水清洗，吹干。