[发明专利]图像传感器及其形成方法

说明书

一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：基底，所述基底包括中间区和包围所述中间区的外围区，所述中间区包括若干相互分立的第一像素区、以及位于相邻第一像素区之间的第一隔离区，所述外围区包括若干相互分立的第二像素区、以及位于相邻第二像素区之间的第二隔离区，若干所述第一像素区沿第一方向排列，且若干所述第二像素区沿第一方向排列；位于所述基底第一隔离区内的第一隔离结构，在所述第一方向上，所述第一隔离结构具有第一尺寸；位于所述基底第二隔离区内的第二隔离结构，在所述第一方向上，所述第二隔离结构具有第二尺寸，且所述第二尺寸小于所述第一尺寸。所述图像传感器的成像质量较好。

技术领域

本发明涉及半导体制造和光电成像技术领域，特别涉及一种图像传感器及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的不断提高，图像传感器(Image Sensor)作为目前信息获取的一种基础器件在现代社会中得到越来越广泛的应用。互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，简称CMOS)图像传感器是一种快速发展的固态图像传感器，由于CMOS图像传感器中的图像传感器部分和控制电路部分集成于同一芯片中，因此CMOS图像传感器的体积小、功耗低、价格低廉，相较于传统的电荷耦合(Charge-coupled Device，简称CCD)图像传感器更具优势，也更易普及。

现有的CMOS图像传感器中包括用于将光信号转换为电信号的光电传感器，所述光电传感器为形成于硅衬底中的光电二极管，且相邻光电二极管之间具有隔离结构。此外，在形成有光电二极管的硅衬底表面还形成有滤镜层，所述滤镜层通过对入射光进行过滤，以通过特定波长的光；而相邻透镜层之间通常还具有用于屏蔽光学串扰的栅格结构。

然而，由于所述栅格结构的影响，容易导致进入外围区的通光量和中间区的通光量之间存在差异，导致图像传感器的成像均匀性较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种图像传感器及其形成方法，以提高图像传感器的成像质量。

为解决上述技术问题，本发明提供一种图像传感器，包括：基底，所述基底包括中间区和包围所述中间区的外围区，所述中间区包括若干相互分立的第一像素区、以及位于相邻第一像素区之间的第一隔离区，所述外围区包括若干相互分立的第二像素区、以及位于相邻第二像素区之间的第二隔离区，若干所述第一像素区沿第一方向排列，且若干所述第二像素区沿第一方向排列；位于所述基底第一隔离区内的第一隔离结构，在所述第一方向上，所述第一隔离结构具有第一尺寸；位于所述基底第二隔离区内的第二隔离结构，在所述第一方向上，所述第二隔离结构具有第二尺寸，且所述第二尺寸小于所述第一尺寸。

可选的，在所述第一方向上，所述第一尺寸为：0.2微米～0.4微米时，所述第二尺寸为：0.05微米～0.2微米。

可选的，还包括：所述基底包括相对的第一面和第二面，位于所述基底第一隔离区第一面表面的第一栅格结构，在所述第一方向上，所述第一栅格结构具有第三尺寸；位于所述基底第二隔离区第一面表面的第二栅格结构，在所述第一方向上，所述第二栅格结构具有第四尺寸，且所述第四尺寸小于所述第三尺寸。

可选的，在所述第一方向上，所述第三尺寸为：0.1微米～0.3微米时，所述第四尺寸为：0.05微米～0.15微米。

可选的，还包括：位于第一像素区第一面表面的第一滤镜层；位于第二像素区第一面表面的第二滤镜层；位于所述第一滤镜层表面和第二滤镜层表面的微透镜。