[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201910330130.4 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN110021653B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 刘军;闫梁臣;周斌;李伟;苏同上;黄勇潮;罗标;桂学海 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:衬底基板、依次位于衬底基板上的半导体有源层、栅极、以及源极和漏极,其特征在于,还包括:第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第一过孔和第二过孔;
所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层依次设置在设置有所述源极和所述漏极的衬底基板上;
所述第一过孔贯穿所述第三绝缘层,且在设置有彩色色阻的每一像素单元中,所述第一过孔位于相邻两彩色色阻之间,用于后续填充相邻两彩色色阻中的一个;
所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层,所述第二过孔的位置与所述第一过孔的位置对应,且在平行于所述衬底基板的方向上,所述第二过孔的宽度大于所述第一过孔的宽度,用于后续填充与对应位置处的所述第一过孔内颜色相同的彩色色阻,并使得该彩色色阻与相邻的彩色色阻形成色阻交叠区域。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层和第三绝缘层的材料为氧化硅,所述第二绝缘层的材料为氮化硅。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述衬底基板方向上,所述第一过孔的中心轴与所述第二过孔的中心轴重合。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在平行于所述衬底基板的方向上,所述第一过孔的宽度为6微米到10微米。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,在平行于所述衬底基板的方向上,且在第一过孔的中心轴的同一侧,所述第二过孔的侧边与所述第一过孔的侧边之间的距离为8微米到12微米。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第一过孔的截面为长条状,所述第二过孔的截面为长条状。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:彩膜层;
所述彩膜层位于所述第三绝缘层上。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述彩膜层包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻;
在每一像素单元中,其中一个所述第一过孔和该第一过孔对应位置处的第二过孔内填充有蓝色色阻,另一个所述第一过孔和该第一过孔对应位置处的第二过孔内填充有红色色阻。
9.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,还包括平坦层,设置在所述彩膜层上。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求10所述的显示面板。
12.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
通过构图工艺在衬底基板上依次制作半导体有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层以及源极和漏极;
在制作有所述源极和漏极的所述衬底基板上依次制作第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层;
对所述第三绝缘层进行构图工艺,形成贯穿所述第三绝缘层的第一过孔,且在设置有彩色色阻的每一像素单元中,所述第一过孔位于相邻两彩色色阻之间,用于后续填充相邻两彩色色阻中的一个;
对所述第二绝缘层进行构图工艺,形成贯穿所述第二绝缘层的第二过孔,所述第二过孔的位置与所述第一过孔的位置对应,且在平行于所述衬底基板的方向上,所述第二过孔的宽度大于所述第一过孔的宽度,用于后续填充与对应位置处的所述第一过孔内颜色相同的彩色色阻,并使得该彩色色阻与相邻的彩色色阻形成色阻交叠区域。
13.如权利要求12所述的制作方法,其特征在于,对所述第三绝缘层进行构图工艺,形成贯穿所述第三绝缘层的第一过孔,包括:
在所述第三绝缘层上涂覆光刻胶,通过曝光、显影去除需要形成所述第一过孔位置处的光刻胶;
采用四氟化碳和氧气,对所述第三绝缘层进行刻蚀,形成贯穿所述第三绝缘层的第一过孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的