[发明专利]图像传感器、图像处理方法以及计算机存储介质

说明书

本申请实施例公开了一种图像传感器、图像处理方法以及计算机存储介质，该图像传感器包括半导体基底和多个亚波长像素单元，所述多个亚波长像素单元设置在所述半导体基底表面；其中，每个亚波长像素单元包括光电二极管PD柱，在所述半导体基底表面，处于中心位置的亚波长像素单元所包含的PD柱高度低于处于边缘位置的亚波长像素单元所包含的PD柱高度；所述亚波长像素单元，用于通过所述亚波长像素单元内的PD柱吸收入射光中的光信号，将吸收到的光信号转换为电信号，并将所述电信号转换为数字信号进行传输。

技术领域

本申请涉及图像传感器技术领域，尤其涉及一种图像传感器、图像处理方法以及计算机存储介质。

背景技术

图像传感器是一种将光学图像转换成电子信号的设备。图像传感器主要分为电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)图像传感器和金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器。随着CMOS工艺和技术的不断提升，CMOS图像传感器越来越多地应用于各种消费类电子产品中，比如数码相机、手机以及视频监控系统等。

为了实现CMOS图像传感器的更小尺寸且依然可以拍摄出高质量、高清晰的图像，目前提出了曲面CMOS图像传感器。曲面CMOS图像传感器与传统的平面CMOS图像传感器在结构上并没有太大区别，而是采用特别精密的工艺同时与一个特制的弯折机配合来使得CMOS进行弯曲。由于这种CMOS弯曲所需要的工艺比较复杂，且容易导致CMOS出现断裂等问题，极大降低了曲面CMOS的良率，提高了成本。

发明内容

本申请的主要目的在于提出一种图像传感器、图像处理方法以及计算机存储介质，不仅降低了CMOS图像传感器断裂的风险，而且也降低了工艺难度，从而提高了CMOS图像传感器的良率，降低了成本；另外，还有效降低了图像边缘的阴影效应。

为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括半导体基底和多个亚波长像素单元，所述多个亚波长像素单元设置在所述半导体基底表面；其中，每个亚波长像素单元包括光电二极管PD柱，在所述半导体基底表面，处于中心位置的亚波长像素单元所包含的PD柱高度低于处于边缘位置的亚波长像素单元所包含的PD柱高度；

所述亚波长像素单元，用于通过所述亚波长像素单元内的PD柱吸收入射光中的光信号，将吸收到的光信号转换为电信号，并将所述电信号转换为数字信号进行传输。

在上述方案中，所述多个亚波长像素单元以凹形曲面形式排列在所述半导体基底表面。

在上述方案中，所述半导体基底表面包括所述中心位置、所述边缘位置、以及所述中心位置与所述边缘位置之间的过渡区域；其中，针对所述过渡区域，随着亚波长像素单元的排列位置与所述中心位置之间的距离增大，所述亚波长像素单元所包含的PD柱高度增加。

在上述方案中，所述亚波长像素单元还包括与PD柱连接的读出电路；其中，

所述PD柱，用于吸收入射光中的光信号，将吸收到的光信号转换为电信号；

所述读出电路，用于读出所述电信号，并将所述电信号转换为数字信号进行传输。

在上述方案中，所述图像传感器还包括图像处理器，用于接收所述数字信号，并根据所述数字信号生成所述入射光对应的图像。

在上述方案中，PD柱高度的取值范围为100nm～4um。

在上述方案中，PD柱的直径度量级别为百纳米级；其中，PD柱的直径至少包括下述其中一项：60nm的第一直径参数、90nm的第二直径参数和120nm的第三直径参数。

在上述方案中，所述亚波长像素单元包括一个PD柱，其中，