[发明专利]晶圆温度分布的检测方法

权利要求书

1.一种晶圆温度分布的检测方法，用于检测高密度等离子体化学气相淀积工艺的晶圆温度，其特征在于，包括：

提供一晶圆，所述晶圆表面上生长有预定厚度的薄膜，所述薄膜是利用高密度等离子体化学气相淀积工艺形成的；

检测所述晶圆上若干监测点的湿法刻蚀速率；

通过一温度-湿法刻蚀速率关系方程，根据所有所述监测点的所述湿法刻蚀速率计算得到所述晶圆上所有所述监测点的温度，进而得到所述晶圆的温度分布情况。

2.根据权利要求1所述的晶圆温度分布的检测方法，其特征在于，所述温度-湿法刻蚀速率关系方程的确立包括：

调节温度，收集不同温度下晶圆的湿法刻蚀速率数据；

根据不同温度下的所述湿法刻蚀速率数据，拟合得到所述温度-湿法刻蚀速率关系方程。

3.根据权利要求2所述的晶圆温度分布的检测方法，其特征在于，所述温度-湿法刻蚀速率关系方程为温度关于湿法刻蚀速率的一次函数或二次函数。

4.根据权利要求3所述的晶圆温度分布的检测方法，其特征在于，所述温度-湿法刻蚀速率关系方程为：

其中，为温度，为湿法刻蚀速率。

5.根据权利要求2所述的晶圆温度分布的检测方法，其特征在于，所述调节温度的范围在430℃~505℃之间。

6.根据权利要求2所述的晶圆温度分布的检测方法，其特征在于，收集得到的所述湿法刻蚀速率的范围在370Å /min~405Å /min之间。

7.根据权利要求1所述的晶圆温度分布的检测方法，其特征在于，所述若干监测点的间距在15mm~60mm之间。

8.根据权利要求7所述的晶圆温度分布的检测方法，其特征在于，所述晶圆的直径为300mm，所述监测点为49个，且均匀分布于所述晶圆上。

9.根据权利要求1所述的晶圆温度分布的检测方法，其特征在于，通过测量湿法刻蚀之后所述监测点处晶圆的厚度，计算得到所述晶圆的湿法刻蚀速率。