[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底层，所述基底层包括若干分立的第一区和若干分立的第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区邻接；

在基底层的第一区上形成分立的芯层；

在所述芯层沿第一方向的两侧侧壁形成分立的侧墙层；

在侧墙层沿第一方向侧部的第二区上形成填充层；

在所述填充层中形成第一分割槽，第一分割槽在第二方向上分割所述填充层，第二方向垂直于第一方向，且第一分割槽在第一方向上的侧壁暴露出侧墙层；

形成所述填充层之后，在所述芯层中形成第二分割槽，第二分割槽在第二方向上分割所述芯层，且第二分割槽在第一方向上的侧壁暴露出侧墙层，对于相邻的第一区和第二区，第一区上的第二分割槽和第二区上的第一分割槽在第二方向之间的距离大于零；

在第一分割槽中形成第一分割层，在形成第一分割层的过程中，在第二分割槽中形成第二分割层；

形成第一分割层和第二分割层后，去除填充层和芯层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一分割槽之后，形成所述第二分割槽；或者，形成所述第二分割槽之后，

形成所述第一分割槽。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一分割槽之前，在所述芯层、侧墙层和填充层上形成第一阻挡层，第一阻挡层中具有位于部分填充层上的第一阻挡开口，第一阻挡开口还在第一方向延伸至侧墙层和部分芯层上；以第一阻挡层、芯层和侧墙层为掩膜刻蚀去除第一阻挡开口底部的填充层，在所述填充层中形成第一分割槽；形成第一分割槽后，且在形成第一分割层之前，去除第一阻挡层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第二分割槽之前，在所述芯层、侧墙层和填充层上形成第二阻挡层，第二阻挡层中具有位于部分芯层上的第二阻挡开口，第二阻挡开口还在第一方向延伸至侧墙层和部分填充层上；以第二阻挡层、侧墙层和填充层为掩膜刻蚀第二阻挡开口底部的芯层，在所述芯层中形成第二分割槽；形成第二分割槽后，且在形成第二分割层之前，去除第二阻挡层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一分割层和第二分割层的方法包括：在第一分割槽和第二分割槽中、以及芯层、填充层和侧墙层上形成分割膜；平坦化所述分割膜直至暴露出芯层、填充层和侧墙的顶部表面，形成所述第一分割层和第二分割层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述填充层、芯层和侧墙层的材料互不相同。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述芯层的材料包括非晶硅、氮化硅或氧化硅；所述侧墙层的材料包括SiO₂、SiN、TiO₂、TiN、AlN或Al₂O₃；所述填充层的材料包括SiO₂、SiN、TiO₂、TiN、AlN或Al₂O₃。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一分割层、第二分割层和所述侧墙层的材料相同。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一分割层和所述第二分割层的材料相同，且所述第一分割层与所述侧墙层的材料不同。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一分割层在第二方向上的尺寸为20纳米～60纳米；所述第二分割层在第二方向上的尺寸为20纳米～60纳米。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的厚度为10纳米～20纳米。