[发明专利]涂层刀具的制备及涂层表面处理方法和涂层刀具在审

专利信息
申请号: 201910330858.7 申请日: 2019-04-23
公开(公告)号: CN110129740A 公开(公告)日: 2019-08-16
发明(设计)人: 李玉强;谭秋虹 申请(专利权)人: 北京沃尔德金刚石工具股份有限公司
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/58;B23D79/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 韩建伟
地址: 100018 北京市朝阳区酒仙桥*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 涂层刀具 涂层表面 制备 多弧离子镀膜机 表面粗糙度 方案解决 生产效率 涂层沉积 真空状态 基材 刻蚀 炉腔 生产成本
【权利要求书】:

1.一种涂层刀具的制备及涂层表面处理方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S10,利用多弧离子镀膜机将涂层沉积在基材(10)上;

步骤S20,控制所述多弧离子镀膜机的炉腔处于真空状态,对所述涂层的表面进行刻蚀处理,以降低所述涂层表面的表面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的涂层刀具的制备及涂层表面处理方法,其特征在于,在所述步骤S20中,控制所述多弧离子镀膜机的炉腔处于真空状态,向所述炉腔内通入预定流量的Ar,在预定偏压的条件下对Ar进行电离,电离产生的Ar+对所述涂层的表面进行刻蚀处理,以降低所述涂层表面的表面粗糙度。

3.根据权利要求2所述的涂层刀具的制备及涂层表面处理方法,其特征在于,在所述步骤S20中,对所述炉腔进行抽真空处理并使所述炉腔内的真空度为1.33Pa~3.99Pa;向所述炉腔内通入Ar的流量为80ml/min~150ml/min,在偏压为400V~600V的条件下对Ar进行电离,电离产生的Ar+对所述涂层的表面进行刻蚀处理。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的涂层刀具的制备及涂层表面处理方法,其特征在于,所述步骤S10包括如下步骤:

步骤S11,安装Cr靶材和/或Ti靶材,通入Ar,在所述基材(10)上沉积Cr涂层和/或Ti涂层;

步骤S12,安装TiAl靶材,通入N2,在所述基材(10)上沉积AlTiN涂层;

步骤S13,安装含有Er的SiTi靶材,通入N2,在所述基材(10)上沉积TiSiErN涂层;

步骤S14,安装Cr靶材和/或Ti靶材,通入N2,在所述基材(10)上沉积CrN涂层和/或TiN涂层。

5.根据权利要求4所述的涂层刀具的制备及涂层表面处理方法,其特征在于,控制沉积温度为400℃~550℃;

在所述步骤S11中,控制涂层偏压为600V~1000V,控制电弧电流为50A~100A,通入Ar的流量为40ml/min~90ml/min,沉积时间为15min~25min,沉积的所述Cr涂层和/或所述Ti涂层的厚度为0.02μm~0.05μm;

在所述步骤S12中,TiAl靶材的质量分数比为Ti:Al=40/60,控制涂层偏压为30V~50V,通入N2的流量为80ml/min~120ml/min,控制所述炉腔内压强为1Pa~5Pa,控制电弧电流为100A~150A,沉积的所述AlTiN涂层的厚度为0.2μm~0.4μm;

在所述步骤S13中,安装含有0.5wt%Er~3wt%Er的SiTi靶材,且SiTi靶材的质量分数比为Si:Ti=20/80,控制涂层偏压为30V~50V,通入N2的流量为80ml/min~120ml/min,控制所述炉腔内压强为1Pa~5Pa,控制电弧电流为100A~150A,沉积的所述TiSiErN涂层的厚度为0.4μm~1μm;

在所述步骤S14中,控制涂层偏压为30V~50V,通入N2的流量为80ml/min~120ml/min,控制所述炉腔内压强为1Pa~5Pa,控制电弧电流为100A~150A,沉积的所述CrN涂层和/或所述TiN涂层的厚度为0.2μm~0.4μm。

6.一种涂层刀具,其特征在于,所述涂层刀具利用权利要求1至5中任一项所述的涂层刀具的制备及涂层表面处理方法制备而成,所述涂层刀具包括:

基材(10);

硬涂层(22),所述硬涂层(22)设置在所述基材(10)上,所述硬涂层(22)由具有Er元素的材料制成。

7.根据权利要求6所述的涂层刀具,其特征在于,所述硬涂层(22)为AlTiErN涂层和/或TiSiErN涂层。

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