[发明专利]像素单元、图像传感器以及图像处理方法和存储介质有效
申请号: | 201910330892.4 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN110085611B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 杨鑫 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/378;H04N9/04 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王姗姗;张颖玲 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 单元 图像传感器 以及 图像 处理 方法 存储 介质 | ||
1.一种像素单元,所述像素单元包括:滤光片、光电二极管PD阵列和读出电路,所述滤光片位于所述像素单元的第一层区域内,所述PD阵列与所述读出电路位于所述像素单元的第二层区域内,其中,
所述滤光片,用于对入射光进行颜色过滤处理,得到预设波长的单色光信号;
所述PD阵列,与所述滤光片相对放置,用于吸收所述预设波长的单色光信号,并将吸收到的单色光信号转换为电信号;其中,所述PD阵列包括多个PD柱且所述多个PD柱的直径相同,所述预设波长处于所述PD阵列的共振波长的范围之内;
所述读出电路,与所述PD阵列连接,用于读出所述电信号,将所述电信号转换为数字信号进行传输。
2.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述PD阵列在所述第二层区域中所占的填充比例为预设比例;其中,所述预设比例小于1。
3.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述PD阵列包括4个PD柱,所述4个PD柱以2×2排列方式设置。
4.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述预设波长包括下述任意一项:蓝光波长、绿光波长或红光波长。
5.根据权利要求4所述的像素单元,其特征在于,所述滤光片包括下述任意一项:蓝色滤光片、绿色滤光片或红色滤光片;其中,
所述蓝色滤光片,具体用于对入射光进行颜色过滤处理,得到蓝光波长对应的蓝光信号;
所述绿色滤光片,具体用于对入射光进行颜色过滤处理,得到绿光波长对应的绿光信号;
所述红色滤光片,具体用于对入射光进行颜色过滤处理,得到红光波长对应的红光信号。
6.根据权利要求4所述的像素单元,其特征在于,所述PD阵列包括下述任意一项:第一PD阵列、第二PD阵列或第三PD阵列;其中,
所述预设波长为蓝光波长,所述PD阵列为第一PD阵列,所述第一PD阵列中PD柱的直径为60nm;
所述预设波长为绿光波长,所述PD阵列为第二PD阵列,所述第二PD阵列中PD柱的直径为90nm;
所述预设波长为红光波长,所述PD阵列为第三PD阵列,所述第三PD阵列中PD柱的直径为120nm。
7.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述PD阵列,具体用于通过所述多个PD柱的光学共振吸收所述预设波长的单色光信号,并将吸收到的单色光信号转换为电信号。
8.根据权利要求6所述的像素单元,其特征在于,PD柱的直径为60nm;其中,所述第一PD阵列,具体用于根据所述多个PD柱的光学共振吸收入射光中蓝色波长对应的蓝光信号,并将吸收到的蓝光信号转换为电信号。
9.根据权利要求6所述的像素单元,其特征在于,PD柱的直径为90nm;其中,所述第二PD阵列,具体用于根据所述多个PD柱的光学共振吸收入射光中绿色波长对应的绿光信号,并将吸收到的绿光信号转换为电信号。
10.根据权利要求6所述的像素单元,其特征在于,PD柱的直径为120nm;其中,所述第三PD阵列,具体用于根据所述多个PD柱的光学共振吸收入射光中红色波长对应的红光信号,并将吸收到的红光信号转换为电信号。
11.根据权利要求1至10任一项所述的像素单元,其特征在于,PD柱的上表面形状包括下述任意一项:圆形、正方形、三角形、平行四边形、菱形和多边形。
12.根据权利要求11所述的像素单元,其特征在于,PD柱的形状为圆柱体;其中,所述PD柱的上表面形状为所述圆柱体的其中一个圆形底面。
13.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器至少包括如权利要求1至12任一项所述的像素单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的