[发明专利]一种玻璃衬底异质结太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201910331284.5 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN109980020A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 王璞;张忠文;赖怡 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0336;H01L31/075;H01L31/20 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 汤春微 |
地址: | 610299 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 透明导电氧化物层 异质结太阳能电池 空穴 选择层 氧化铟 玻璃 制备 载流子 太阳能电池技术 本征非晶硅层 掺钼氧化铟 氧化钼薄膜 横向运输 依次连接 能力强 | ||
1.一种玻璃衬底异质结太阳能电池,包括从下到上依次连接的玻璃衬底(1)、透明导电氧化物层(2)、空穴选择层(3)、本征非晶硅层(4)和n型掺杂非晶硅层(5),其特征在于,空穴选择层(3)为氧化钼薄膜,透明导电氧化物层(2)包括掺钼氧化铟、掺钛氧化铟、掺钨氧化铟中的任一种。
2.根据权利要求1所述的一种玻璃衬底异质结太阳能电池,其特征在于,透明导电氧化物层(2)顶面还设置有金属栅线正极层(7),金属栅线正极层(7)的厚度为240nm,n型掺杂非晶硅层(5)顶面设置有金属栅线负极层(6),金属栅线负极层(6)的厚度为50nm。
3.根据权利要求2所述的一种玻璃衬底异质结太阳能电池,其特征在于,金属栅线正极层(7)和金属栅线负极层(6)的材质均为Cu、Cu合金、Ag、Ag合金中的任一种,Cu合金为Cu与Mo、W、Ti、Ni、Al、Mg、Ta、Sn、Ag中的任一种所形成的合金。
4.根据权利要求1所述的一种玻璃衬底异质结太阳能电池,其特征在于,透明导电氧化物层(2)的厚度为50-120nm。
5.根据权利要求1或4所述的一种玻璃衬底异质结太阳能电池,其特征在于,空穴选择层(3)的厚度为80-150nm。
6.根据权利要求1所述的一种玻璃衬底异质结太阳能电池,其特征在于,本征非晶硅层(4)的厚度为5-10nm。
7.根据权利要求1所述的一种玻璃衬底异质结太阳能电池,其特征在于,n型掺杂非晶硅层(5)的厚度为30-100nm。
8.根据权利要求1所述的一种玻璃衬底异质结太阳能电池,其特征在于,玻璃衬底(1)的透光率90%-95%,玻璃衬底(1)的厚度为3mm-5mm。
9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的一种玻璃衬底异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:选用一块透光率为90%-95%的玻璃衬底(1),对玻璃衬底(1)表面用乙醇进行清洗,使用氮气吹干;
S2:在玻璃衬底(1)的上表面,使用磁控溅射镀膜机制备透明导电氧化物层(2);
S3:在透明导电氧化物层(2)上表面,使用一块掩模板空余出用于制备金属栅线正极层(7)的位置,然后使用磁控溅射镀膜机在透明导电氧化物层(2)上表面制备空穴选择层(3),磁控溅射的气体为氧气,氧气纯度规格99.9%;
S4:在空穴选择层(3)上再用一块掩模板遮挡,在空穴选择层(3)上表面通过等离子体增强化学气相沉积制备出本征非晶硅层(4),使用的气体为硅烷;
S5:在本征非晶硅层(4)上再用一块掩模板遮挡,在本征非晶硅层(4)上表面使用等离子体增强化学气相沉积制备出n型掺杂非晶硅层(5),使用的气体为三氢化磷和硅烷;
S6:在n型掺杂非晶硅层(5)上再用一块掩模板遮挡,在n型掺杂非晶硅层(5)上表面使用真空镀膜机制备出金属栅线负极层(6),最后在透明导电氧化物层(2)上表面的空余位置使用真空镀膜机制备出金属栅线正极层(7)。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的