[发明专利]自淬灭打火放大单元、其制备方法、探测器及应用

权利要求书

1.一种自淬灭打火放大单元的制备方法，包括如下步骤：

S1：采用磁控溅射设备在印刷电路板基材上形成第一类金刚石碳基薄膜，其面电阻率为10～500MΩ/□；

S2：在步骤S1得到的印刷电路板基材上下表面上形成通孔；

S3：在步骤S2得到的印刷电路板基材上施加400V的偏压，对其表面进行等离子体轰击、刻蚀1-3分钟后，调节印刷电路板基材上偏压为70V，在第一类金刚石碳基薄膜表面和通孔壁上形成第二类金刚石碳基薄膜，第二类金刚石碳基薄膜的面电阻率为0.5～2PΩ/□。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述第一类金刚石碳基薄膜的厚度为50～1000nm，面电阻率为200MΩ/□；

所述第二类金刚石碳基薄膜的厚度为500～1000nm，面电阻率为1PΩ/□。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

所述第一类金刚石碳基薄膜的厚度为200nm；

所述第二类金刚石碳基薄膜的厚度为800nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述印刷电路板基材厚度为0.4～1mm；

所述印刷电路板基材为FR4、电木板或陶瓷。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述通孔的直径为0.3～1mm，间距为0.7～1.2mm。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

所述通孔的直径为0.5mm，间距为1mm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

步骤S1之前对所述印刷电路板基材进行预处理使其清洁干燥；

步骤S1之前对磁控溅射设备的石墨靶材表面溅射清洗；

步骤S2之后步骤S3之前对步骤S2得到的电路板基材进行预处理使其清洁干燥。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述步骤S1具体包括：

固定印刷电路板基材；

对磁控溅射设备抽真空，具体包括当真空度抽至3×10^-5Torr时，打开磁控溅射冷却系统以及电源系统，抽取异丁烷气路中管壁残留的气体10～20分钟，打开异丁烷气体，设置异丁烷气体流量为2-4sccm；

在待镀印刷电路板基材上施加350-400V的偏压，对印刷电路板基材表面进行等离子体轰击、刻蚀1-3分钟；

调节印刷电路板基材上偏压为70V，靶上电流设置为2.8A，溅射时间设置为25-35分钟；

冷却10分钟后翻面，重复上述步骤在另外一面溅射沉积，得到两面均镀了第一类金刚石碳基薄膜的印刷电路板基材。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，

设置异丁烷气体流量为2.5sccm；

在待镀印刷电路板基材上施加400V的偏压；对印刷电路板基材表面进行等离子体轰击、刻蚀2分钟；

在印刷电路板基材上溅射时间设置为30分钟。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述步骤S2中所述通孔采用机械钻孔方法制作。