[发明专利]包括多倍高度标准单元的集成电路及其设计方法在审
申请号: | 201910331450.1 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN110634857A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 李大成;金雅凛;金珉修;刘钟奎 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F17/50 |
代理公司: | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电力轨 选择栅极线 衬底 半导体 连接配线 集成电路 第二区域 第一区域 方向延伸 高度标准 延伸 垂直 | ||
提供了包括多倍高度标准单元的集成电路及其设计方法。根据实施例,集成电路包括半导体衬底、第一至第三电力轨、第一至第三选择栅极线和行连接配线。半导体衬底上的第一至第三电力轨在第一方向上延伸并且在垂直于第一方向的第二方向上顺序地布置。半导体衬底上的第一至第三选择栅极线在第一电力轨和第二电力轨之间的第一区域以及第二电力轨和第三电力轨之间的第二区域上方沿第二方向延伸,并且在第一方向上顺序地布置。半导体衬底上的行连接配线在第一方向上延伸,以连接第一选择栅极线和第三选择栅极线。
相关申请的交叉引用
2018年6月25日在韩国知识产权局提交的题为:“包括多倍高度标准单元的集成电路及其设计方法”的韩国专利申请No.10-2018-0072863通过引用整体并入本文。
技术领域
示例实施例总体上涉及半导体集成电路,并且更具体地,涉及包括多倍高度标准单元的集成电路和设计该集成电路的方法。
背景技术
具有固定功能的标准单元可用于集成电路的设计。标准单元具有预定的架构并存储在单元库中。在设计集成电路时,从单元库中取出标准单元并将其放置在集成电路布局上的期望位置中。然后执行布线以将标准单元彼此连接并与其他单元连接。标准单元具有预定(或设定)架构,例如,单元宽度、单元高度、单元长度等。集成电路的设计效率可以根据标准单元的配置和布局而定。
发明内容
根据示例实施例,一种集成电路包括半导体衬底、第一电力轨、第二电力轨、第三电力轨、第一选择栅极线、第二选择栅极线、第三选择栅极线和行连接配线。
第一电力轨、第二电力轨和第三电力轨在半导体衬底上方,在第一方向上延伸,并且在垂直于第一方向的第二方向上顺序地布置。第一选择栅极线、第二选择栅极线和第三选择栅极线在半导体衬底上方,在第二方向上延伸以穿过第一电力轨和第二电力轨之间的第一区域以及第二电力轨和第三电力轨之间的第二区域,并且在第一方向上顺序地布置。行连接配线在半导体衬底上方,并在第一方向上延伸以连接第一选择栅极线和第三选择栅极线。
根据示例实施例,一种集成电路包括:第一选择晶体管,由第二选择信号的反相电压电平门控以上拉第一输出节点;第二选择晶体管,被配置为由第一选择信号的电压电平门控以下拉第一输出节点;第三选择晶体管,由第一选择信号的反相电压电平门控以上拉第一输出节点;第四选择晶体管,由第二选择信号的电压电平门控以下拉第一输出节点;第五选择晶体管,由第二选择信号的反相电压电平门控以上拉第二输出节点;第六选择晶体管,由第一选择信号的电压电平门控以下拉第二输出节点;第七选择晶体管,由第一选择信号的反相电压电平门控以上拉第二输出节点;第八选择晶体管,由第二选择信号的电压电平门控以下拉第二输出节点;第一选择栅极线,用作第二选择晶体管和第六选择晶体管的栅电极;第二选择栅极线,用作第一选择晶体管、第四选择晶体管、第五选择晶体管和第八选择晶体管的栅电极;第三选择栅极线,用作第三选择晶体管和第七选择晶体管的栅电极;以及行连接配线,连接第一选择栅极线和第三选择栅极线。
根据示例实施例,一种设计集成电路的方法包括:接收定义集成电路的输入数据,在标准单元库中提供至少一个多倍高度标准单元,基于输入数据和标准单元库执行放置和布线,并基于放置和布线的结果产生定义集成电路的输出数据。多倍高度标准单元包括如上所述的半导体衬底、第一电力轨、第二电力轨、第三电力轨、第一选择栅极线、第二选择栅极线、第三选择栅极线和行连接配线。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施例,各种特征对于本领域技术人员将变得清楚,附图中:
图1示出了根据示例实施例的集成电路的平面图。
图2示出了可应用于图1的布局的集成电路的示例实施例。
图3示出了示例标准单元的平面图。
图4A、4B和4C示出了图3的标准单元的横截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的