[发明专利]室温一锅法制备超薄钴基双金属氧化物纳米片在审
| 申请号： | 201910331878.6 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110064398A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 雷永鹏;王启晨;刘毅;周科朝 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | B01J23/75 | 分类号： | B01J23/75;B01J23/755;B01J35/00;B01J35/02;B01J37/16;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双金属氧化物 钴基 纳米片 室温常压条件 超薄纳米片 催化剂合成 金属氯化物 电化学 反应原料 强还原剂 氧化性能 一步反应 钴氰化钾 富氧 能耗 合成 | ||
【权利要求书】：
1.室温一锅法制备超薄钴基双金属氧化物纳米片的方法，具体包括：以钴氰化钾、金属氯化物为反应原料，分别称取一定质量并溶解在去离子水中后按一定比例混合，加入强还原剂硼氢化钠，在室温常压条件利用湿化学法一步反应，得到超薄二维钴基双金属氧化物纳米片。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，金属氯化物为过渡金属氯化物，优选为氯化铁、氯化镍、氯化铜等。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，按物质的量比，金属氯化物：钴氰化钾＝1：(1-20)。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备的钴基双金属纳米片具有良好的原子级尺度的片状形貌，表面富氧缺陷。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备的钴基双金属纳米片用于电化学水氧化反应，并具有优异的催化性能。
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