[发明专利]用于发射X射线的场致发射器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910333271.1 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110071027B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张道书;侯玉欣;陈明;李威威;何可;钟国华;杨春雷 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01J35/06 | 分类号： | H01J35/06;H01J9/02;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 发射 射线 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于发射X射线的场致发射器件，其特征在于，包括：
基底(10)；
金属电极层(20)，设置于所述基底(10)上；
铜基底层(30)，设置于所述金属电极层(20)上；
硫化亚铜纳米线层(40)，设置于所述铜基底层(30)上；
氧化石墨烯层(50)，设置于所述硫化亚 铜纳米线层(40)上，所述氧化石墨烯层(50)厚度为10nm～15nm。
2.根据权利要求1所述的用于发射X射线的场致发射器件，其特征在于，所述基底(10)为玻璃基底，所述金属电极层(20)为钼或镉金属电极层，其中，所述金属电极层(20)的厚度为150nm～250nm。
3.根据权利要求1所述的用于发射X射线的场致发射器件，其特征在于，所述硫化亚 铜纳米线层(40)中的纳米线的直径范围为0.1μm～0.18μm，纳米线的长度范围为1.5μm～3μm，纳米线的长径比为8.3～30。
4.一种用于发射X射线的场致发射器件的制备方法，其特征在于，包括：
在基底(10)上形成金属电极层(20)；
在所述金属电极层(20)上形成铜基底层(30)；
在所述铜基底层(30)上形成硫化亚铜纳米线层(40)；
采用旋涂工艺在所述硫化亚铜纳米线层(40)上旋涂氧化石墨烯溶液，以形成氧化石墨烯层(50)，所述氧化石墨烯层(50)厚度为10nm～15nm。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述铜基底层(30)上形成硫化亚铜纳米线层(40)的具体方法包括：
加热所述铜基底层(30)，以在所述铜基底层(30)的背向所述金属电极层(20)的表面上形成氧化铜层(60)；
将氧化铜层(60)置于硫化氢混合气体中，以形成硫化亚铜纳米线层(40)。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
将氧化铜层(60)置于硫化氢混合气体后，保持所述氧化铜层(60)所处环境压强为0.5千帕，并保持环境温度为37摄氏度，其中所述硫化氢混合气体中硫化氢气体和空气的比例为1:4。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射工艺在所述基底(10)上溅射金属材料以形成金属电极层(20)；采用磁控溅射工艺在所述金属电极层(20)上溅射铜材料以形成铜基底层(30)。
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