[发明专利]一种信号校正的方法及装置

权利要求书

1.一种信号校正的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤S1：选取两种特征能量不同的射源，两种所述特征能量分别记为E₁和E₂；

步骤S2：使用同一闪烁探测器分别测量固定电压下两种所述射源对应的能谱，并分别从所述能谱中获取对应的峰峰值，记为V₁、V₂，所述固定电压不超过硅光电倍增管的反向击穿电压；

步骤S3：确定信号处理器所接收的电信号与所述闪烁探测器的硅光电倍增管中被激活的雪崩二极管的数量之间的实际关系，如公式(1)所述：

V＝[m(1-e^-Ek)]/q (公式1)；

其中，V为电信号的峰峰值，m为所述硅光电倍增管中雪崩二极管的数量，E为特征能量，q和k为未知常数；

步骤S4：将参数E₁、V₁和E₂、V₂分别代入公式(1)中并联立求解k和q。

2.根据权利要求1所述的信号校正的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，两种所述射源对应的所述特征能量之间的差值不小于所述闪烁探测器中闪烁晶体的能量分辨率与对应的所述特征能量的乘积。

3.根据权利要求2所述的信号校正的方法，其特征在于，在上述步骤S2中，峰峰值V₁和V₂通过以下方法获得：分别采用同一所述闪烁探测器测量固定电压下第一种所述射源对应的第一能谱，并从第一能谱中获取对应的第一峰峰值，记为V₁；分别采用同一所述闪烁探测器测量固定电压下第二种射源对应的第二能谱，并从第二能谱中获取对应的第二峰峰值，记为V₂。

4.根据权利要求3所述的信号校正的方法，其特征在于，在上述步骤S2中，分别重复测量至少三次所述第一峰峰值，取所述第一峰峰值的平均值记为V₁；分别重复测量至少三次所述第二峰峰值，取所述第二峰峰值的平均值记为V₂。

5.根据权利要求1所述的信号校正的方法，其特征在于，所述公式(1)通过以下步骤获得：

步骤S31：计算所述硅光电倍增管中被激活的雪崩二极管的数量：

其中，所述硅光电倍增管探测到的光子符合二维泊松分布P(μ，n)，μ为期望，n为样本数量；H为所述硅光电倍增管中被激活的所述雪崩二极管的数量；m为所述硅光电倍增管中所述雪崩二极管的数量；Nd为所述硅光电倍增管检测到的光子的数量，N_d＝N*D，N为入射到所述硅光电倍增管的光敏感面上的光子数，D为所述硅光电倍增管的光子探测效率；

步骤S32：对公式(2)进行参数替代，将N_d＝N*D和N＝E*P₀代入公式(2)中可以得到：

其中，P₀为闪烁晶体的光输出，P₀、D和m均为常数，进行参数替代，将P₀*D/m记为k，得到：

H＝m[1-e^-(Ek)] (公式4)；

步骤S33：确定信号处理器所接收的电信号的峰峰值V与SiPM中被激活的APD的数量之间的实际关系：

V＝H/q＝[m(1-e^-Ek)]/q (公式1)。

6.根据权利要求1所述的信号校正的方法，其特征在于，所述方法进一步包括步骤S5：根据所述硅光电倍增管的出厂参数校正差值。