[发明专利]芯片转移方法、芯片及目标基板

权利要求书

1.一种芯片转移方法，其特征在于，用于将芯片从源基板转移至目标基板，所述芯片包括芯片主体以及设置在所述芯片主体上的芯片键合层，所述芯片键合层包括第一芯片键合结构和第二芯片键合结构，所述目标基板包括衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的基板键合层和辅助对位层，所述基板键合层包括第一基板键合结构和第二基板键合结构，所述辅助对位层具有对位孔和对位缝，所述第一基板键合结构至少部分通过所述对位孔裸露，所述第二基板键合结构至少部分通过所述对位缝裸露，所述第一芯片键合结构的尺寸小于所述对位孔的孔径，所述第二芯片键合结构的尺寸小于所述对位缝的宽度且大于所述对位孔的孔径，所述第一芯片键合结构与所述第二芯片键合结构之间的距离等于所述对位孔与所述对位缝之间的距离，所述方法包括：

将所述目标基板设置在密闭腔室内，并向所述目标基板的所述第一基板键合结构施加第一极性的电荷；

向所述芯片的所述第一芯片键合结构施加第二极性的电荷，所述第二极性与所述第一极性不同；

向所述密闭腔室内注入绝缘流体，使所述芯片悬浮于所述密闭腔室内的所述绝缘流体中，所述第一芯片键合结构靠近所述第一基板键合结构移动，带动所述芯片靠近所述目标基板移动，所述第一芯片键合结构通过所述对位孔与所述第一基板键合结构接触，所述第二芯片键合结构通过所述对位缝与所述第二基板键合结构接触；

向所述芯片施加压力，使所述第一芯片键合结构与所述第一基板键合结构键合，所述第二芯片键合结构与所述第二基板键合结构键合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

向所述目标基板的所述第二基板键合结构施加所述第一极性的电荷，以及，向所述芯片的所述第二芯片键合结构施加所述第二极性的电荷；或者，

将所述目标基板的所述第二基板键合结构接地，以及，向所述芯片的所述第二芯片键合结构施加所述第二极性的电荷。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一基板键合结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述对位孔在所述衬底基板上的正投影，所述第二基板键合结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述对位缝在所述衬底基板上的正投影。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述第一芯片键合结构、所述第二芯片键合结构和所述第一基板键合结构均为柱状结构，所述第二基板键合结构为环状结构，所述对位缝为环形缝，所述第一基板键合结构位于所述第二基板键合结构的环形的中心，所述对位孔位于所述对位缝的环形的中心；

所述第一芯片键合结构的底面的尺寸小于所述对位孔的孔径，所述第二芯片键合结构的底面的尺寸大于所述对位孔的孔径且小于所述对位缝的宽度；

所述第一芯片键合结构的高度与所述第二芯片键合结构的高度相等，所述第一基板键合结构的高度与所述第二基板键合结构的高度相等；

所述对位孔的开口面的形状与所述第一基板键合结构的底面的形状相同，所述对位孔的孔径小于或等于所述第一基板键合结构的底面的尺寸；

所述对位缝的开口面的形状与所述第二基板键合结构的环形的形状相同，所述对位缝的宽度小于或等于所述第二基板键合结构的宽度。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述芯片还包括：与所述第二芯片键合结构同层设置的配重体，所述配重体用于使所述芯片的重心与所述芯片的中心重合。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，

所述第一芯片键合结构、所述第二芯片键合结构和所述第一基板键合结构均为圆柱状结构，所述第二基板键合结构为圆环状结构，所述对位孔为圆形孔，所述对位缝为圆环形缝；

所述第一芯片键合结构的直径小于所述对位孔的孔径，所述第二芯片键合结构的直径大于所述对位孔的孔径且小于所述对位缝的宽度；

所述对位孔的孔径小于或等于所述第一基板键合结构的直径，所述对位缝的宽度小于或等于所述第二基板键合结构的宽度。