[发明专利]一种垂直集成单元二极管芯片

权利要求书

1.一种垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，包括：

第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极之上的二极管台面结构；所述二极管台面结构包括n个二极管单元和沟槽结构，其中，n≥2；沟槽结构位于二极管单元之间，沟槽深度为L；

所述二极管台面结构还包括第一导电类型层，厚度为h1的第二导电类型层，及位于所述第一导电类型层上的量子阱有源区，量子阱有源区厚度为h2，

其中，h1L≤h1+h2；

所述二极管台面结构面积根据电流扩散长度确定。

2.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于所述二极管台面结构内的n个二极管单元沿沟槽底部向上的垂直方向上的水平截面面积不变或逐渐缩小。

3.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于所述二极管单元之间的沟槽横截面形状为三角形、四边形、弧形以及其它任意定义形状。

4.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于所述二极管单元之间的沟槽形状为四边形、同心圆环、十字形及其它任意曲线形状。

5.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于所述二极管单元之间的沟槽水平方向不均匀分布或均匀分布。

6.一种如权利要求5所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于所述不均匀分布包括等距和非等距周期性分布，或等距和非等距非周期性分布。

7.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于所述二极管台面结构内的二极管单元的侧壁与水平面具有一定夹角α。

8.一种如权利要求7所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于所述夹角α大于0度且小于等于90度。

9.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于所述二极管台面结构内的二极管单元的侧壁形状为梯形、四边形、曲面以及其它任意定义形状。

10.一种如权利要求1或7所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于所述二极管台面结构内的二极管单元至少有一个侧壁从台面底部到顶部方向上有沟槽分布。

11.一种如权利要求1或7或10所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于所述二极管台面结构内的二极管单元侧壁沟槽截面形状为三角形、四边形、弧形以及其它任意定义形状。

12.一种如权利要求1或7或10所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于所述二极管台面结构内的二极管单元侧壁沟槽水平方向不均匀分布或均匀分布。

13.一种如权利要求12所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于所述沟槽水平方向不均匀分布包括等距和非等距周期性分布，或等距和非等距非周期性分布。

14.一种如权利要求10所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述沟槽宽度为0.5纳米-10微米，深度为0.5纳米-10微米。

15.一种如权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构包括孔结构。

16.一种如权利要求16所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述孔结构包括1个～1000000个孔单元，所述孔单元直径为0.001微米～20微米。

17.一种如权利要求17所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述孔单元对称排列，非对称排列，周期性排列，非周期性排列或随机排列。