[发明专利]半导体器件和制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一区域、第二区域、第三区域和第四区域上方沉积栅极电介质；

在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域上方沉积第一金属材料；

在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域上方沉积第一p功函数层；

从所述第三区域中移除所述第一p功函数层；

在从所述第三区域中移除所述第一p功函数层之后，在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域上方沉积第二p功函数层，所述第二p功函数层与所述第一p功函数层不同；

从所述第一区域和所述第二区域中移除所述第二p功函数层；

从所述第一区域中移除所述第一p功函数层；

在从所述第一区域中移除所述第一p功函数层之后，在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域上方沉积n功函数层；以及

在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域上方沉积填充材料。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第一p功函数层包括氮化钛。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二p功函数层包括钨。

4.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二p功函数层包括氧化钨。

5.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二p功函数层包括氮化钨。

6.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二p功函数层包括钼。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二p功函数层包括氮化钼。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一区域和第二区域上方沉积第一多个栅极材料；

通过从所述第一区域中完全移除所述第一多个栅极材料的第一p栅极材料，来调谐由所述第一多个栅极材料形成的晶体管中的第一晶体管的第一阈值电压；以及

通过在所述第一区域和所述第二区域上方形成第二p栅极材料并且从所述第二区域中完全移除所述第二p栅极材料，来调谐由所述第一多个栅极材料形成的晶体管中的第二晶体管的第二阈值电压，所述第一p栅极材料与所述第二p栅极材料不同，所述第一晶体管是第一PMOS晶体管，并且所述第二晶体管是第二PMOS晶体管。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，在所述第一区域上方沉积所述第二p栅极材料包括：以与阻挡层物理接触的方式来沉积所述第二p栅极材料。

10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，在所述第二区域上方沉积所述第二p栅极材料包括：以与所述第二区域中的所述第一p栅极材料物理接触的方式来沉积所述第二p栅极材料。

11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，所述阻挡层包括氮化钽。

12.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，沉积所述第一多个栅极材料还包括：

在半导体鳍上方沉积界面层；以及

在所述界面层上方沉积电介质覆盖层。

13.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，还包括在所述第二p栅极材料上方沉积胶层。

14.根据权利要求13所述的制造半导体器件的方法，还包括在所述胶层上方沉积填充材料。