[发明专利]半导体结构及用于半导体工艺的方法

说明书

本公开涉及半导体结构及用于半导体工艺的方法。本文描述的实施例总体涉及用于在半导体工艺中在电介质层中形成导电特征的方法以及由此形成的结构。在一些实施例中，一种结构包括衬底上方的电介质层、表面改性层和导电特征。电介质层具有侧壁。表面改性层沿着侧壁，并且表面改性层包括磷和碳。导电特征沿着表面改性层。

技术领域

本公开一般地涉及半导体结构及用于半导体工艺的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了指数增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小并更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数目)通常增加，而几何尺寸(例如，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。这种缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。然而，缩小还带来了此前的世代在较大几何形状下可能无法呈现的挑战。

发明内容

根据本公开的一个实施例，公开了一种结构，包括：电介质层，电介质层在衬底上方，电介质层具有侧壁；表面改性层(surface modification layer)，表面改性层沿着侧壁，表面改性层包括磷和碳；以及导电特征，导电特征沿着表面改性层。

根据本公开的另一实施例，公开了一种结构，包括：第一电介质层，第一电介质层在衬底上方；第一导电特征，第一导电特征被布置在第一电介质层中；第二电介质层，第二电介质层在第一电介质层上方，第二电介质层具有侧壁；表面改性层，表面改性层沿着第二电介质层的侧壁，表面改性层包括磷和碳；以及第二导电特征，第二导电特征被布置在第二电介质层的侧壁之间，第二导电特征接触第一导电特征。

根据本公开的又一实施例，公开了一种用于半导体工艺的方法，方法包括：穿过电介质层刻蚀开口，电介质层在衬底上方；将限定开口的电介质层的表面暴露于磷酸衍生物；以及将导电填充材料沉积在开口中。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各个方面。应当注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。

图1至图6是根据一些实施例的用于形成导电特征的示例方法期间的相应的中间结构的横截面视图。

图7A、7B和7C是根据一些实施例的用于形成表面改性层的机制。

具体实施方式

下面的公开内容提供了用于实现所提供的主题的不同特征的许多不同的实施例或示例。下文描述了组件和布置的具体示例以简化本公开。当然，这些仅仅是示例而不意图是限制性的。例如，在下面的说明中，在第二特征上方或之上形成第一特征可以包括以直接接触的方式形成第一特征和第二特征的实施例，并且还可以包括可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征以使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开在各个示例中可能重复参考标号和/或字母。这种重复是为了简单性和清楚性的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

此外，本文中可能使用了空间相关术语(例如“下方”、“之下”、“低于”、“以上”、“上部”等)，以易于描述图中所示的一个要素或特征相对于另一个(一些)要素或特征的关系。这些空间相关术语意在涵盖器件在使用或工作中除了图中所示朝向之外的不同朝向。装置可能以其他方式定向(旋转了90度或处于其他朝向)，并且本文中所用的空间相关描述符同样可能被相应地解释。

本文描述的实施例总体涉及用于在半导体工艺中在电介质层中形成导电特征的方法以及由此形成的结构。在一些实施例中，限定在其中形成导电特征的开口的电介质层的表面用磷酸衍生物进行处理，以在那些表面上形成表面改性层。然后在开口中以及表面改性层上形成导电特征。除其他项外，表面改性层还可以修复可能由于穿过电介质层形成开口而引起的对电介质层的损坏。还可以实现其他优点或益处。