[发明专利]发光模块有效

专利信息
申请号: 201910334075.6 申请日: 2019-04-24
公开(公告)号: CN110397896B 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 铃木拓也;向井孝志 申请(专利权)人: 日亚化学工业株式会社
主分类号: F21V9/30 分类号: F21V9/30;F21V9/45;F21V23/02;F21V23/04;F21Y115/30
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 金兰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 模块
【权利要求书】:

1.一种发光模块,其中,具备:

激光元件,射出激光;

转换构件,将所述激光转换为不同的波长的光;

第一晶体管,第一电极与所述激光元件连接,第二电极与用于向所述激光元件供应电力的电源布线连接;

第二晶体管,第一电极与所述第一晶体管的控制电极连接,第二电极与第一基准电位连接;

第一电阻,被连接在所述第一晶体管的控制电极和第二基准电位之间;

感测布线,被连接在所述第二晶体管的控制电极和第三基准电位之间,并与所述转换构件结合;以及

第二电阻,被连接在所述第二晶体管的控制电极和第四基准电位之间,

所述第一基准电位是若被施加给所述第一晶体管的控制电极则将所述第一晶体管设为接通状态的电位,

所述第二基准电位是若被施加给所述第一晶体管的控制电极则将所述第一晶体管设为关断状态的电位,

所述第三基准电位是若被施加给所述第二晶体管的控制电极则将所述第二晶体管设为接通状态的电位,

所述第四基准电位是若被施加给所述第二晶体管的控制电极则将所述第二晶体管设为关断状态的电位。

2.如权利要求1所述的发光模块,其中,

被供应给所述激光元件的电源电位之中较高的电源电位相对于所述第一基准电位及所述第二基准电位之中较高的基准电位独立。

3.如权利要求1或2所述的发光模块,其中,

所述第二基准电位与所述第四基准电位相等。

4.如权利要求1或2所述的发光模块,其中,

所述第一基准电位与所述第三基准电位相等。

5.如权利要求3所述的发光模块,其中,

所述第一基准电位与所述第三基准电位相等。

6.如权利要求1或2所述的发光模块,其中,

所述第一电阻的电阻值比所述第二电阻的电阻值低。

7.如权利要求4所述的发光模块,其中,

所述第一电阻的电阻值比所述第二电阻的电阻值低。

8.如权利要求1或2所述的发光模块,其中,

所述第二晶体管的内部电容比所述第一晶体管的内部电容小。

9.如权利要求4所述的发光模块,其中,

所述第二晶体管的内部电容比所述第一晶体管的内部电容小。

10.如权利要求6所述的发光模块,其中,

所述第二晶体管的内部电容比所述第一晶体管的内部电容小。

11.如权利要求1或2所述的发光模块,其中,

所述感测布线被固定在所述转换构件的表面。

12.如权利要求4所述的发光模块,其中,

所述感测布线被固定在所述转换构件的表面。

13.如权利要求6所述的发光模块,其中,

所述感测布线被固定在所述转换构件的表面。

14.如权利要求8所述的发光模块,其中,

所述感测布线被固定在所述转换构件的表面。

15.如权利要求11所述的发光模块,其中,

所述感测布线由透光性导电材料形成。

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