[发明专利]一种Cu基半导体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种Cu基半导体材料，其特征在于，Cu基半导体材料的成分为Cu₃Nb_1-xMo_xS₄，其中0＜x≤0.1为原子百分比，所述的Cu基半导体材料为三元混合硫化物；

所述的Cu基半导体材料的太阳能吸收能力与Mo的原子百分比呈正比；

所述的Cu₃Nb_1-xMo_xS₄为具有孤立半满中间能带的半导体材料；

所述的Cu基半导体材料的制备方法，包括以下步骤：

S1：将Cu粉、Nb粉、S粉和Mo粉按化学计量比真空封装于石英玻璃管中；

S2：将石英管置于马弗炉中烧结，烧结温度为800 ~ 900℃；

S3：烧结结束后研磨为粉末，并真空封装于石英玻璃管中，重复S2步骤一遍，得到最终的Cu基半导体材料。

2.根据权利要求1所述的一种Cu基半导体材料，其特征在于，所述的Cu基半导体材料的成分为Cu₃Nb_0.9Mo_0.1S₄。

3.一种如权利要求1中所述的Cu基半导体材料在太阳电池、光子上/下转换器中的应用。

4.一种如权利要求1中所述的Cu基半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将Cu粉、Nb粉、S粉和Mo粉按化学计量比真空封装于石英玻璃管中；

S2：将石英管置于马弗炉中烧结，烧结温度为800 ~ 900℃；

S3：烧结结束后研磨为粉末，并真空封装于石英玻璃管中，重复S2步骤一遍，得到最终的Cu基半导体材料。

5.根据权利要求4所述的一种Cu 基半导体材料的制备方法，其特征在于，烧结过程为首先程序升温至800 ~ 900℃，之后在800 ~ 900℃范围内保持48小时，最后降温至室温。