[发明专利]一种In基半导体材料及制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910334098.7 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111847508B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 赵春燕;陈平;张栋栋;符磊;曹慧敏 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;C01G30/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 in 半导体材料 制备 方法 应用 | ||
1.一种In基半导体材料，其特征在于，In基半导体材料的成分为MgIn2-xSbxS4，其中0＜x≤0.1为原子百分比，所述的In基半导体材料为三元混合硫化物。
2.根据权利要求1所述的一种In基半导体材料，其特征在于，其特征在于，In基半导体材料的成分为MgIn1.9Sb0.1S4。
3.根据权利要求1或2所述的一种In基半导体材料，其特征在于，所述的In基半导体材料中的Sb以三价态存在。
4.根据权利要求1所述的一种In基半导体材料，其特征在于，所述的In基半导体材料的太阳能吸收能力与Sb的原子百分比呈正比。
5.根据权利要求2所述的一种In基半导体材料，其特征在于，所述的In基半导体材料的可见光理论吸收系数为104～105cm-1。
6.一种权利要求1中所述的In基半导体材料在太阳电池、光子上/下转换器或光催化剂中的应用。
7.一种权利要求1中所述的In基半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：按照将化学计量比将Mg粉、In粒、S粉和Sb块研磨为粉末后真空封装于石英玻璃管中；
S2：将石英管置于马弗炉中烧结，烧结温度为600～700℃；
S3：烧结结束后研磨为粉末，并真空封装于石英玻璃管中，重复S2步骤一遍，得到最终的In基半导体材料。
8.根据权利要求7所述的一种In基半导体材料的制备方法，其特征在于，所述的烧结过程为首先程序升温至600～700℃，之后在600～700℃范围内保持48～72小时，最后降温至室温。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
