[发明专利]一种硅锭开方和切片方法

说明书

本申请公开了一种硅锭开方和切片方法，包括只沿第一方向对硅锭进行开方，得到长条硅锭；去除所述长条硅锭周围的不合格部分，得到可切片长条硅块；沿与硅锭生长方向与所述第一方向组成的平面相垂直的平面，对所述可切片长条硅块进行切片，得到成品硅片，因此得到的各个硅片就不存在头部和尾部的差别了，从而能够解决硅片的片间位错密度差异大及电池效率差异大的问题，并能减少边角部硅块的报废率。

技术领域

本发明属于光伏设备制造技术领域，特别是涉及一种硅锭开方和切片方法。

背景技术

现在常用的硅锭开方工艺流程如图1所示，图1为现在常用的硅锭开方工艺流程的示意图，先将硅锭100粘在金属托盘上，整体放置在多线开方切割机里面，垂直交叉的两层开方钢线101从上至下进行切割，切割得到硅块102，去除开方后的边皮103，针对可切片的硅片104，先切除头部不合格部分105和尾部不合格部分106，然后按垂直晶体生长方向进行切片得到硅片107，再经过后续处理得到硅片成品108。利用上述流程得到的底部硅片由于处于硅锭底部位置，因此具备硅锭底部的位错密度和杂质浓度，而顶部硅片由于处于硅锭顶部位置，因此具备硅锭顶部的位错密度和杂质浓度。

然而，底部硅片位错少，因此底部硅片制成的电池效率高，顶部硅片位错多，因此顶部硅片制成的电池效率低，在这种情况下，硅片位错分布就比较广，电池效率的档位分布也比较宽，特别是对于铸造单晶技术来说，顶部位错能达到底部位错密度的数倍，顶部硅片做出的电池效率拖尾严重，电池效率分布档位多，而且，硅锭边角部的低少子区域、位错区域或者其他不良区域较宽，延伸到边角部硅块，会造成边角部硅块全部报废，造成开方损失。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种硅锭开方和切片方法，能够解决硅片的片间位错密度差异大及电池效率差异大的问题，并能减少边角部硅块的报废率。

本发明提供的一种硅锭开方和切片方法包括：

只沿第一方向对硅锭进行开方，得到长条硅锭；

去除所述长条硅锭周围的不合格部分，得到可切片长条硅块；

沿与硅锭生长方向与所述第一方向组成的平面相垂直的平面，对所述可切片长条硅块进行切片，得到成品硅片。

优选的，在上述硅锭开方和切片方法中，在所述得到可切片长条硅块之后，还包括：

沿与硅锭生长方向垂直的平面，将所述可切片长条硅块切成至少两块。

优选的，在上述硅锭开方和切片方法中，所述去除所述长条硅锭周围的不合格部分包括：

切除所述长条硅锭的边皮；

切除所述长条硅锭的头部不合格部分和尾部不合格部分。

优选的，在上述硅锭开方和切片方法中，所述只沿第一方向对硅锭进行开方为：

只沿第一方向对所述硅锭进行单根钢线切割或双根钢线切割。

优选的，在上述硅锭开方和切片方法中，所述只沿第一方向对硅锭进行开方，得到长条硅锭为：

利用平行于所述硅锭的一个侧边的多根开方钢线对所述硅锭进行开方，得到长条硅锭。

优选的，在上述硅锭开方和切片方法中，所述硅锭为定向凝固多晶硅锭或铸造单晶硅锭。

通过上述描述可知，本发明提供的上述硅锭开方和切片方法，由于只沿第一方向对硅锭进行开方，得到长条硅锭；然后去除所述长条硅锭周围的不合格部分，得到可切片长条硅块；再沿与硅锭生长方向与所述第一方向组成的平面相垂直的平面，对所述可切片长条硅块进行切片，得到成品硅片，因此得到的各个硅片就不存在头部和尾部的差别了，从而能够解决硅片的片间位错密度差异大及电池效率差异大的问题，并能减少边角部硅块的报废率。

附图说明