[发明专利]传感器及其制备方法

说明书

本公开的实施例提供一种传感器及其制备方法，该传感器的制备方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成驱动电路和感光元件。感光元件包括相对于衬底基板依次形成的第一电极、光电转换层和第二电极，第一电极与驱动电路电连接，形成图案化的第一电极之后，直接在第一电极之上形成图案化的光电转换层。该传感器克服了第一电极表面粗糙导致传感器的性能变差的问题，且实现了良好的金半接触和光电转换特性。

技术领域

本公开的实施例涉及一种传感器及其制备方法。

背景技术

X射线传感器是数字影像技术中至关重要的器件，由于其具有成像速度快，良好的空间及密度分辨率、高信噪比、直接数字输出等优点，广泛地应用于医学影像(如X光胸透)、工业检测(如金属探伤)、安保检测、航空运输等领域。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种传感器的制备方法，该制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成驱动电路和感光元件；其中，所述感光元件包括相对于所述衬底基板依次形成的第一电极、光电转换层和第二电极，所述第一电极与所述驱动电路电连接，形成图案化的所述第一电极之后，直接在所述第一电极之上形成图案化的所述光电转换层。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，在所述衬底基板上形成驱动电路包括：形成第三电极和与所述第三电极的远离所述衬底基板的表面直接接触的第一绝缘层，其中，所述第一电极和所述第三电极在同一工艺中形成，且在形成图案化的所述光电转换层之后，形成所述第一绝缘层且对所述第一绝缘层构图。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述驱动电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、第一源漏电极和第二源漏电极，所述第三电极为所述栅极或者所述第一源漏电极。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，当所述第三电极为所述栅极时，所述第一电极与所述第一源漏电极电连接，以实现所述第一电极与所述驱动电路电连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括栅绝缘层和有源层，所述第一绝缘层为所述栅绝缘层，所述第一源漏电极通过贯穿所述栅绝缘层的第一过孔与所述第一电极电连接；对所述第一绝缘层构图包括：在所述第一绝缘层中形成所述第一过孔；以及所述制备方法还包括：在形成所述第一绝缘层之后，在所述第一绝缘层上形成所述有源层以及与所述有源层电连接的所述第一源漏电极和所述第二源漏电极。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括栅绝缘层和有源层，所述第一电极通过贯穿所述栅绝缘层的第二过孔与所述第一源漏电极电连接；形成驱动电路包括：

在所述衬底基板上形成所述薄膜晶体管的有源层以及与所述有源层电连接的所述第一源漏电极和所述第二源漏电极，在所述薄膜晶体管的有源层、所述第一源漏电极和所述第二源漏电极之上形成栅绝缘层，对所述栅绝缘层构图以形成所述第二过孔，以及在所述栅绝缘层上形成所述栅极。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，当所述第三电极为所述第一源漏电极时，所述第一源漏电极与所述第一电极一体形成，以实现所述第一电极与所述驱动电路电连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括有源层，所述第一源漏电极和所述第二源漏电极与所述有源层电连接，所述制备方法还包括：在形成图案化的所述光电转换层之后且形成所述绝缘层之前形成所述有源层。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括有源层和栅绝缘层，所述第一绝缘层为所述栅绝缘层，所述制备方法还包括：在形成图案化的所述光电转换层之后且形成所述第一绝缘层之前形成所述有源层。