[发明专利]一种半导体器件及形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括依次叠置的有源区基底、停止层、浮栅材料层及硬掩膜层；

刻蚀预定区域的所述硬掩膜层和所述浮栅材料层至露出所述停止层，以形成分立的浮栅；

沉积覆盖所述浮栅和所述停止层的第一氧化层；

刻蚀所述浮栅之间的第一氧化层、停止层和有源区基底，以形成凹槽；

去除所述第一氧化层；

氧化所述浮栅的表面，以形成第二氧化层；

去除所述第二氧化层，以使得所述浮栅下方的有源区基底的顶部边缘平滑。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浮栅的尺寸小于相邻所述凹槽之间的有源区基底的尺寸。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积覆盖所述浮栅的第一氧化层具体为采用原子层沉积法形成所述第一氧化层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为60-80埃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一氧化层具体为采用湿法刻蚀工艺去除所述第一氧化层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化所述浮栅的表面的方法包括：快速热氧化法、槽平面天线氧化法、等离子体注入氧化法及臭氧氧化法。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述浮栅材料层为多晶硅，所述第二氧化层为二氧化硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第二氧化层的方法具体为采用湿法刻蚀工艺去除所述第二氧化层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述浮栅之间的第一氧化层、停止层和有源区基底具体为采用各向异性的刻蚀方法刻蚀所述浮栅之间的第一氧化层、停止层和有源区基底。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件的形成方法还包括：

去除所述硬掩膜层；

形成覆盖所述凹槽表面和所述浮栅表面的隔离层，所述隔离层的上表面高于所述浮栅的上表面；

回刻蚀所述隔离层，以形成浅沟槽隔离结构；

形成覆盖所述浮栅和所述浅沟槽隔离结构的栅介质层；

在所述栅介质层上形成横跨所述浮栅的控制栅。

11.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括具有凹槽的有源区基底和在有源区基底顶部的停止层；

浮栅，所述浮栅形成在所述有源区基底上；

其中，所述浮栅下方的有源区基底的顶部边缘平滑。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述浮栅的尺寸小于相邻所述凹槽之间的有源区基底的尺寸。