[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一具有逻辑器件区和高压器件区的衬底，在所述逻辑器件区和高压器件区的交界处形成浅沟槽隔离结构；

依次形成控制栅层和侧墙于所述逻辑器件区和高压器件区上，所述侧墙位于所述控制栅层的侧壁上；

形成图案化的光掩膜层于所述衬底上，所述图案化的光掩膜层暴露出所述逻辑器件区和高压器件区需要形成金属硅化物的区域；以及，

形成金属硅化物层于所述图案化的光掩膜层暴露出的区域中；

其中，所述图案化的光掩膜层的材质为光敏材料，包括光刻胶和/或光敏树脂；形成所述图案化的光掩膜层于所述衬底上的步骤包括：

形成光掩膜层于所述衬底上，所述光掩膜层掩埋所述逻辑器件区和高压器件区的所述衬底、控制栅层和侧墙以及所述逻辑器件区和高压器件区之间的所述浅沟槽隔离结构；以及，

光刻所述光掩膜层，以去除待形成所述金属硅化物层的区域上的所述光掩膜层后得到所述图案化的光掩膜层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述控制栅层和侧墙于所述逻辑器件区和高压器件区上之后，以及形成所述图案化的光掩膜层于所述衬底上之前，形成源极和漏极于所述逻辑器件区和高压器件区的所述衬底中；

在所述逻辑器件区，所述源极和所述漏极分别位于所述控制栅层的两侧的所述衬底中且紧邻所述侧墙的侧壁；

在所述高压器件区，所述源极和所述漏极分别位于所述控制栅层的两侧的所述衬底中，且所述源极和/或所述漏极与所述侧墙的侧壁之间间隔有所述衬底；

且所述金属硅化物层分别形成于所述源极、所述漏极和所述控制栅层的顶部。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述图案化的光掩膜层仅位于所述高压器件区，且位于所述高压器件区的所述控制栅层的一侧或两侧，并具有暴露所述高压器件区的所述源极和/或所述漏极的开口，所述开口顶部的宽度小于或等于所述开口底部的宽度。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述金属硅化物层的步骤包括：

形成金属层于所述图案化的光掩膜层以及所述图案化的光掩膜层暴露的区域上；

去除位于所述图案化的光掩膜层上的所述金属层和所述图案化的光掩膜层；

进行第一次快速热退火，以使得所述金属层分别与所述金属层下方接触的所述衬底和所述控制栅层反应而形成中间金属硅化物层；

去除未反应的所述金属层；以及，

进行第二次快速热退火，以使得所述中间金属硅化物层转化为所述金属硅化物层。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述金属层于所述图案化的光掩膜层以及所述图案化的光掩膜层暴露的区域上之前，对所述图案化的光掩膜层暴露出的区域的表面进行清洗，以去除所述区域的表面上的杂质和原生氧化物。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层中的金属包括钨、镍、钴、铂和钛中的一种或两种以上的组合。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，依次形成所述控制栅层和侧墙于所述逻辑器件区和高压器件区上之前，先形成栅极氧化层于所述逻辑器件区和高压器件区上；所述控制栅层和所述侧墙之间还形成有隔离氧化层。

8.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1至7中任一项所述的半导体器件的制造方法制造，包括：

衬底，具有逻辑器件区和高压器件区，所述逻辑器件区和高压器件区的交界处形成有浅沟槽隔离结构；

控制栅层和侧墙，形成于所述逻辑器件区和高压器件区上，所述侧墙位于所述控制栅层的侧壁上；

金属硅化物层，形成于所述逻辑器件区和高压器件区的所述控制栅层的顶部、所述逻辑器件区的所述控制栅层两侧的所述衬底以及所述高压器件区的所述控制栅层两侧的部分的所述衬底上。