[发明专利]一种用于雾化器的压电陶瓷振动片亲水处理方法

权利要求书

1.一种用于雾化器的压电陶瓷振动片亲水处理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：对用于雾化器的压电陶瓷振动片通过等离子化学气相沉积方法在压电陶瓷振动片的表面镀纳米亲水膜，所述纳米亲水膜与雾化器中的液体直接接触。

2.根据权利要求1所述的用于雾化器的压电陶瓷振动片亲水处理方法，其特征在于，所述纳米亲水膜是由亲水材料通过等离子增强化学气相沉积方法获得的；

所述亲水材料是无氟亲水材料，化学通式为：R-Si-(OR_X)₃；其中，R为多碳长链烷基，碳原子数量3-16个，-R_X为-Cl、-CH₃、-C₂H₅其中一种或者多种。

3.根据权利要求1所述的用于雾化器的压电陶瓷振动片亲水处理方法，其特征在于，所述等离子化学气相沉积方法包括以下工艺步骤：

(1)等离子活化处理，将压电陶瓷振动片置于气体流中进行活化处理；

(2)亲水材料汽化；

(3)通过射频电源提供功率，设备腔体内等离子气体载气与汽化的亲水材料进行碰撞反应，使亲水材料在压电陶瓷振动片表面进行附着和沉积形成纳米亲水膜层；

(4)净化阶段：破真空。

4.根据权利要求3所述的用于雾化器的压电陶瓷振动片亲水处理方法，其特征在于，所述步骤(1)中，气体流量：1000-2500ul/s，真空度保持在0.04-0.2mbar范围内，活化时间1-5min。

5.根据权利要求3所述的用于雾化器的压电陶瓷振动片亲水处理方法，其特征在于，所述步骤(2)中，亲水材料在加热杯中汽化，亲水材料滴入加热杯的流量为0.5-5ul/s，加热温度为75-150℃。

6.根据权利要求3所述的用于雾化器的压电陶瓷振动片亲水处理方法，其特征在于，所述步骤(3)中，射频电源提供的功率为脉冲波200-800W或连续波200-800W，设备腔体内温度控制在40-60℃，真空度保持在0.01-0.2mbar范围内。

7.根据权利要求3所述的用于雾化器的压电陶瓷振动片亲水处理方法，其特征在于，所述步骤(3)中，反应时间为10-60min，形成的纳米亲水膜层厚度为60-200nm。

8.根据权利要求3所述的用于雾化器的压电陶瓷振动片亲水处理方法，其特征在于，所述步骤(4)中，净化阶段的净化时间为1-5min。

9.根据权利要求1-8任一项所述的用于雾化器的压电陶瓷振动片亲水处理方法，其特征在于，还包括前处理步骤；

前处理的方法为：将压电陶瓷振动片在镀纳米亲水膜之前放入温度45℃，湿度5％的恒温恒湿环境中烘干，烘干时间为20-45min。

10.根据权利要求1-8任一项所述的用于雾化器的压电陶瓷振动片亲水处理方法，其特征在于，还包括后处理步骤；

后处理的办法为：将经镀亲水膜之后的样本密封包装，放置在温度45℃，湿度5％的恒温恒湿的环境中20-45min。