[发明专利]存储单元检测方法及存储器检测方法在审
申请号: | 201910335924.X | 申请日: | 2019-04-24 |
公开(公告)号: | CN111863105A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 杨正杰;蓝国维;孙力 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 单元 检测 方法 存储器 | ||
1.一种存储单元检测方法,其特征在于,包括:
对所述存储单元进行功能检测;
其中,所述功能检测包括:
向所述存储单元写入高电平信号;
在预设时长间隔后检查所述存储单元的电平状态;
以及根据所述存储单元的电平状态判断所述存储单元的存储功能是否合格;
以及当所述存储单元的存储功能合格时,对所述存储单元再进行至少一次所述功能检测。
2.根据权利要求1所述的存储单元检测方法,其特征在于,根据所述存储单元的电平状态判断所述存储单元的存储功能是否合格,包括:
所述存储单元上的电平状态为高电平时,判断所述存储单元的存储功能合格;
所述存储单元上的电平状态为低电平时,判断所述存储单元的存储功能不合格。
3.根据权利要求1所述的存储单元检测方法,其特征在于,在所述存储单元的多次所述功能检测中,所述预设时长间隔相同或不同。
4.根据权利要求1所述的存储单元检测方法,其特征在于,所述存储单元在预设的测试环境下进行所述功能检测,在所述存储单元的多次所述功能检测中,所述功能检测的测试环境相同或不同。
5.根据权利要求4所述的存储单元检测方法,其特征在于,所述测试环境包括温度环境和/或电场环境。
6.根据权利要求1所述的存储单元检测方法,其特征在于,对所述存储单元进行至少一次所述功能检测,包括:
对所述存储单元再进行一次所述功能检测。
7.根据权利要求6所述的存储单元检测方法,其特征在于,第一次所述功能检测中的预设时长间隔大于第二次所述功能检测中预设时长间隔。
8.根据权利要求1所述的存储单元检测方法,其特征在于,对所述存储单元进行至少一次所述功能检测,包括:
再对所述存储单元进行两次所述功能检测。
9.一种存储器检测方法,所述存储器包括呈阵列分布的多个所述存储单元,所述方法包括权利要求1-8任一项所述的存储单元检测方法。
10.根据权利要求9所述的存储器检测方法,其特征在于,存储单元在预设的测试环境下进行功能检测,在所述存储单元的多次所述功能检测中,所述功能检测的测试环境相同或不同,所述测试环境包括所述存储单元周围存储单元的存储状态。
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