[发明专利]掩膜图形修复方法及掩膜板在审
| 申请号： | 201910336081.5 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111856874A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 包忍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;C23C16/30;C23C16/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形 修复 方法 掩膜板 | ||
1.一种掩膜图形的修复方法，其特征在于，包括：
提供基板，所述基板上形成有若干掩膜图形，其中部分所述掩膜图形具有缺口；
形成填充所述缺口的第一修复层；
在所述第一修复层与所述掩膜图形的连接部位形成第二修复层。
2.如权利要求1所述的掩膜图形的修复方法，其特征在于，分步骤形成所述第一修复层及所述第二修复层。
3.如权利要求2所述的掩膜图形的修复方法，其特征在于，所述第一修复层的材料为六羟基铬，或者，所述第一修复层的材料为四乙基原硅酸盐及六羟基铬的复合材料。
4.如权利要求2所述的掩膜图形的修复方法，其特征在于，所述第二修复层的材料为六羟基铬，或者，所述第二修复层的材料为四乙基原硅酸盐及六羟基铬的复合材料。
5.如权利要求1所述的掩膜图形的修复方法，其特征在于，在同一工艺步骤中形成所述第一修复层及所述第二修复层。
6.如权利要求5所述的掩膜图形的修复方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述第一修复层及所述第二修复层。
7.如权利要求6所述的掩膜图形的修复方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的工艺参数包括：工艺温度为15℃～25℃，工艺时间为10min～40min，腔室压强小于1E-6MBar，电压为0.9KV～1.1KV，工艺气体包括六羟基铬、四乙基原硅酸盐、氧气、二氧化氮或水蒸气。
8.如权利要求1所述的掩膜图形的修复方法，其特征在于，沿平行于所述基板表面方向，所述第二修复层宽度与所述掩膜图形宽度的比值为0.1～0.5。
9.如权利要求1所述的掩膜图形的修复方法，其特征在于，沿垂直于所述基板表面方向，所述第二修复层厚度与所述第一修复层厚度的比值为0.25～1。
10.一种掩膜板，其特征在于，包括：
基板；
位于基板上的若干掩膜图形，其中部分所述掩膜图形具有缺口；
填充所述缺口的第一修复层；
位于所述第一修复层与所述掩膜图形的连接部位的第二修复层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
