[发明专利]存储器装置及应用其的集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

一三维存储器，包括多个第一存取线阶层、多个第二存取线阶层及多个存储单元阶层，这些存储单元阶层配置于对应的这些第一存取线阶层与这些第二存取线阶层之间；

这些第一存取线阶层中的一第一存取线阶层包括沿一第一方向延伸的多个第一存取线以及一第一牺牲材料的多个剩余部分，该第一牺牲材料的各该剩余部分配置于这些第一存取线中的二个第一存取线之间；

这些第二存取线阶层中的一第二存取线阶层包括沿一第二方向延伸且在这些第一存取线与这些第二存取线之间的交叉点跨过相邻的这些第一存取线阶层的这些第一存取线的多个第二存取线以及一第二牺牲材料的多个剩余部分，该第二牺牲材料的各该剩余部分配置于这些第二存取线中的二个第二存取线之间；以及

这些存储单元阶层中的一存储单元阶层，包括配置于相邻的该第一存取线阶层及该第二存取线阶层中的这些第一存取线与这些第二存取线之间的交叉点中的多个存储柱的一阵列；

其中，该第二牺牲材料平行于第一存取线沿第一方向延伸，该第一牺牲材料不同于该第二牺牲材料。

2.根据权利要求1所述的装置，其中这些存储柱的该阵列中的每个存储柱包括串连的一开关元件、一势垒层及一可编程存储元件。

3.根据权利要求2所述的装置，其中该可编程存储元件包括一相变材料。

4.根据权利要求2所述的装置，其中该开关元件包括一定限开关。

5.根据权利要求2所述的装置，其中这些存储单元阶层中的一存储单元阶层包括环绕这些存储柱的该阵列中的这些存储柱的空隙。

6.根据权利要求1所述的装置，其中各该存储柱具有通过相邻的该第一存取线阶层与该第二存取线阶层之间的该存储单元阶层的选择性侧向刻蚀的周边所定义的侧壁。

7.根据权利要求1所述的装置，更包括多个介电质衬垫，这些介电质衬垫沿这些存储柱的该阵列中的这些存储柱排列，这些介电质衬垫包括一介电材料。

8.一种存储器装置，包括：

一三维存储器，包括多个第一存取线阶层、多个第二存取线阶层以及多个存储单元阶层，这些存储单元阶层配置于对应的这些第一存取线阶层与这些第二存取线阶层之间；

这些第一存取线阶层中的一第一存取线阶层包括沿一第一方向延伸的多个第一存取线以及一第一牺牲材料的多个剩余部分，该第一牺牲材料的各该剩余部分设置这些第一存取线的2个第一存取线之间；

这些第二存取线阶层中的一第二存取线阶层包括沿一第二方向延伸的多个第二存取线以及一第二牺牲材料的多个剩余部分，且这些第二存取线在位于这些第一存取线与这些第二存取线之间的交叉点跨过相邻的这些第一存取线阶层的这些第一存取线，该第二牺牲材料的各该剩余部分配置于这些第二存取线的2个第二存取线之间；以及

这些存储单元阶层中的一存储单元阶层，包括配置于相邻的这些第一存取线阶层与这些第二存取线阶层中的这些第一存取线与这些第二存取线之间的交叉点中的多个存储柱的一阵列，以及环绕这些存储柱的该阵列的这些存储柱的空隙；

其中，该第二牺牲材料平行于第一存取线沿第一方向延伸，该第一牺牲材料不同于该第二牺牲材料。