[发明专利]刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法

权利要求书

1.一种刻蚀液，其特征在于，包括：双氧水、第一有机酸、无机酸、调节剂、第一稳定剂、第一抑制剂、醇类物质、第一消泡剂以及去离子水；

其中，所述调节剂用于使待刻蚀的铜的第一刻蚀速度大于待刻蚀的钼的第二刻蚀速度；

所述双氧水在所述刻蚀液中的质量百分比为16％；

所述第一有机酸为柠檬酸，所述第一有机酸在所述刻蚀液中的质量百分比为8％；

所述无机酸为磷酸，所述无机酸在所述刻蚀液中的质量百分比为0.5％；

所述调节剂为乙醇胺，所述调节剂在所述刻蚀液中的质量百分比为5.5％；

所述第一稳定剂为苯基脲，所述第一稳定剂在所述刻蚀液中的质量百分比为2.5％；

所述第一抑制剂为2-氨基噻唑，所述第一抑制剂在所述刻蚀液中的质量百分比为0.008％；

所述醇类物质为丙二醇，所述醇类物质在所述刻蚀液中的质量百分比为1.5％；

所述第一消泡剂为聚氧丙烯甘油醚，所述第一消泡剂在所述刻蚀液中的质量百分比为0.5％；

所述去离子水在所述刻蚀液中的质量百分比为65.492％；

所述刻蚀液中的铜离子浓度大于5000ppm时，所述刻蚀液的刻蚀性能下降。

2.一种刻蚀组合液，包括如权利要求1所述的刻蚀液以及补给液；

所述补给液包括溶解剂、第二有机酸、第二稳定剂、第二抑制剂以及第二消泡剂。

3.根据权利要求2所述的刻蚀组合液，其特征在于，

所述溶解剂相对所述刻蚀液的质量百分比范围为5％-15％；

所述第二有机酸相对所述刻蚀液的质量百分比范围为0.1％-1％；

所述第二稳定剂相对所述刻蚀液的质量百分比范围为0.1％-0.5％；

所述第二抑制剂相对所述刻蚀液的质量百分比范围为0.001％-0.005％；

所述第二消泡剂相对所述刻蚀液的质量百分比范围为0.01％-0.1％。

4.一种刻蚀方法，使用如权利要求2或3所述的刻蚀组合液进行刻蚀，其特征在于，包括：

提供一基板；

通过所述刻蚀液对所述基板进行刻蚀；

检测所述刻蚀液中铜离子的浓度；

当所述铜离子的浓度处于预设浓度范围时，将所述补给液加入所述刻蚀液，继续对所述基板进行刻蚀。