[发明专利]具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器，包括依次设置的蓝宝石衬底(1)、缓冲层(2)、阻挡层(3)、掺杂层(4)、过渡层(5)，在过渡层(5)上设有吸收层(6)，在吸收层(6)上刻蚀出双台面结构，刻蚀到掺杂层(4)，在吸收层(6)及双台面结构上沉积钝化层(9)，在钝化层(9)上开窗口，在深至掺杂层(4)的窗口处设置欧姆接触层(7)，在吸收层(6)的窗口处设置肖特基接触层(8)，在器件表面依次设置绝缘层a(10)、挡光层(11)和绝缘层b(12)，并且开孔使欧姆接触层(7)和肖特基接触层(8)露出；

其中所述缓冲层(2)为非故意掺杂AlN，厚度为1000nm；

其中所述阻挡层(3)为Al组分为0.55的n型AlGaN，厚度为1000nm；

其中所述掺杂层(4)为Al组分为0.52的n型AlGaN，厚度为800nm；

其中所述过渡层(5)为n型AlGaN，厚度为30nm，该层Al组分在0.42-0.52之间逐渐变化，靠近掺杂层(4)端的Al组分为0.52，靠近吸收层(6)端的Al组分为0.42，中间部分的Al组分逐渐变化；

其中所述吸收层(6)为Al组分为0.42的非故意掺杂AlGaN，厚度为250nm。

2.根据权利要求1所述的具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器，其特征在于：所述欧姆接触层(7)为钛/铝/镍/金，厚度为30/150/50/100nm；所述肖特基接触层(8)为镍/金，厚度为20/100nm。

3.根据权利要求2所述的具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器，其特征在于：所述钝化层(9)为二氧化硅，厚度为200nm。

4.根据权利要求3所述的具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器，其特征在于：所述绝缘层a(10)为环氧树脂，厚度为1600-2000nm；所述挡光层(11)为金属铝，厚度为500nm；所述绝缘层b(12)为环氧树脂，厚度为3000nm。

5.基于权利要求1-4中任一项所述的具有挡光层的非等平面AlGaN基肖特基型紫外探测器的制备方法，其步骤包括：

(1)通过金属有机化合物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底(1)上沉积缓冲层(2)；

(2)在缓冲层(2)上沉积阻挡层(3)；

(3)在阻挡层(3)上沉积掺杂层(4)；

(4)在掺杂层(4)上沉积AlGaN薄膜，在AlGaN薄膜上通过多次注入不同能量和剂量的Al离子，获得过渡层(5)；

(5)在过渡层(5)上沉积吸收层(6)；

(6)通过感应耦合等离子技术在吸收层(6)上刻蚀出双台面结构；

(7)通过等离子增强化学气相沉积技术在器件表面沉积钝化层(9)，并进行开窗口，留出蒸镀金属的地方；

(8)通过电子束蒸发技术在掺杂层(4)上蒸镀欧姆接触层(7)；

(9)在吸收层(6)上蒸镀肖特基接触层(8)；

(10)在器件表面涂绝缘层a(10)，开孔并固化；在绝缘层a(10)蒸镀挡光层(11)；在器件表面涂绝缘层b(12)，开孔并固化。