[发明专利]一种微米级发光二极管芯片及制备方法

权利要求书

1.一种微米级发光二极管芯片，其特征在于，包括：

第一台面，第二台面，通信系统接收端；

所述第一台面为照明光源，所述第二台面为通信系统发射端，所述微米级发光二极管芯片背面为所述通信系统接收端；

所述第一台面包括自下而上设置的第一应力释放层，第一多量子阱发光层，第一p-GaN层，第一电流扩展层ITO；所述第二台面包括自下而上设置的第二应力释放层，第二多量子阱发光层，第二p-GaN层，第二电流扩展层ITO；

第一绝缘层包覆第一台面，第二绝缘层包覆第二台面；所述第一台面及所述第二台面下，自下而上设有非故意掺杂氮化镓层及n-GaN层；

所述第一台面与所述第二台面中，所述第一台面尺寸较大，所述第一台面尺寸为100微米*100微米～1毫米*1毫米；所述第二台面尺寸较小，所述第二台面尺寸为3微米*3微米～250微米*250微米。

2.一种如权利要求1所述的微米级发光二极管芯片，其特征在于，采用沉积微米尺寸的电流扩展层ITO限制微米级发光二极管芯片发光面积的方法制备第二台面。

3.一种权利要求1-2任一所述的微米级发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：通过曝光及刻蚀获得台面区域，所述台面区域包括第一台面；步骤2：在所述台面区域采用沉积微米尺寸的电流扩展层ITO限制发光二极管发光面积的方法获得第二台面；步骤3：曝光定义隔离区域及电极区域。

4.一种如权利要求3所述微米级发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤1包括：在蓝宝石衬底GaN基外延片上均匀旋涂光刻胶，通过曝光及刻蚀定义台面区域，所述蓝宝石衬底打磨抛光。

5.一种如权利要求3所述微米级发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤1包括：步骤1.1：曝光待刻蚀区域；步骤1.2：采用湿法腐蚀的方法将无光刻胶区域的电流扩展层ITO腐蚀至p-GaN表面；步骤1.3：干法刻蚀并去除光刻胶获得所述台面区域，所述台面区域包括第一台面；步骤1.4：打磨抛光蓝宝石衬底。

6.一种如权利要求3所述微米级发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤3包括：步骤3.1：采用化学气相沉积的方法生长SiO₂绝缘层；步骤3.2:曝光定义绝缘层腐蚀区域；步骤3.3：采用干法刻蚀或湿法腐蚀在腐蚀区域刻蚀隔离区域；步骤3.4：去除残余光刻胶，重新均匀旋涂光刻胶并曝光，定义出电极区域；步骤3.5：蒸镀Ni/Au金属层，去除残余光刻胶。

7.一种如权利要求5所述微米级发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用BCl₃与Ar混合气体。

8.一种如权利要求6所述微米级发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积采用N₂O，N₂，SiH₄混合气体。

9.一种如权利要求6所述微米级发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用CHF₃气体，所述湿法腐蚀采用BOE溶液。