[发明专利]溅射用钛靶有效
| 申请号： | 201910337427.3 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN110129744B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 塚本志郎;牧野修仁;福岛笃志;八木和人;日野英治 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C25C3/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 用钛靶 | ||
【权利要求书】：
1.一种溅射用钛靶，其为高纯度钛靶，其特征在于，含有合计大于1质量ppm且小于等于2.2质量ppm的S作为添加成分，除了添加成分和气体成分以外，靶的纯度为99.995质量％以上，钛靶晶体组织中的S析出物为50个/mm2以下，并且靶的平均晶粒直径为10μm以下。
2.如权利要求1所述的溅射用钛靶，其特征在于，除了添加成分和气体成分以外的纯度为99.999质量％以上。
3.如权利要求1或2所述的溅射用钛靶，其特征在于，将钛靶加热至500℃时靶的0.2％屈服强度为25MPa以上。
4.如权利要求1或2所述的溅射用钛靶，其特征在于，将钛靶加热至500℃时靶的0.2％屈服强度为30MPa以上。
5.如权利要求1或2所述的溅射用钛靶，其特征在于，钛靶晶体组织中的S析出物为30个/mm2以下。
6.如权利要求1或2所述的溅射用钛靶，其特征在于，钛靶晶体组织中的S析出物为10个/mm2以下。
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