[发明专利]基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

对基片实施液处理的基片处理部；

分隔壁部，其将从能够送入所述基片的送入送出口至所述基片处理部为止的第一空间与所述第一空间以外的第二空间分隔；和

液供给部，其设置在所述第二空间，能够将处理液供给到所述基片。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括将调节气氛的气氛调节气体供给到所述第一空间的气体供给部。

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述分隔壁部包括：覆盖所述基片的上方的上板部；和包围所述基片的侧方的侧壁部。

4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括用于收纳所述基片处理部、所述分隔壁部和所述液供给部的壳体，

所述壳体内的所述第二空间为大气气氛。

5.一种基片处理系统，其特征在于，包括：

配置有多个权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置；和

共用输送路径，其与多个所述基片处理装置相邻，设置有对各所述基片处理装置输送所述基片的输送装置。

6.如权利要求5所述的基片处理系统，其特征在于：

还包括将调节气氛的气氛调节气体供给到所述共用输送路径的第二气体供给部。

7.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

对从能够送入基片的送入送出口至对所述基片实施液处理的基片处理部为止的第一空间供给调节气氛的气氛调节气体的工序；

将所述基片送入所述第一空间的工序；

将所述基片载置在所述基片处理部的工序；和

使用液供给部对所述基片进行液处理的工序，其中所述液供给部配置在由分隔壁部与所述第一空间分隔开的第二空间配置。

8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：

将进行了液处理的所述基片从所述基片处理部送出的工序；和

在所述送出工序后，停止对所述第一空间供给所述气氛调节气体的工序。

9.如权利要求7或8所述的基片处理方法，其特征在于：

还包括使所述分隔壁部中覆盖所述基片的上方的上板部靠近载置于所述基片处理部的所述基片的工序。

10.如权利要求9所述的基片处理方法，其特征在于：

所述进行液处理的工序包括将处理液充满在所述上板部与所述基片之间的工序。