[发明专利]温度调节装置和液体处理装置在审
申请号: | 201910337614.1 | 申请日: | 2019-04-25 |
公开(公告)号: | CN110429042A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 福冈哲夫 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 抗蚀剂液 主体部 温度调节 帕尔帖元件 温度传感器 温度调节单元 温度调节装置 液体处理装置 检测结果 晶片释放 热传导性 喷嘴 处理液 流路 检测 | ||
1.一种温度调节装置,其将处理液的温度调节为处理液目标温度后供给到对基片释放出所述处理液的喷嘴,所述温度调节装置的特征在于,包括:
主体部,其形成有所述处理液的流路,并具有热传导性;
设置于所述主体部的至少一面的电热元件;
用于检测所述主体部的温度的温度检测部;和
控制部,其基于所述温度检测部的检测结果来控制所述电热元件,将所述主体部的温度调节为主体部目标温度,从而将所述处理液的温度调节为所述处理液目标温度。
2.如权利要求1所述的温度调节装置,其特征在于:
所述电热元件以夹着所述主体部中的所述流路的方式设置。
3.如权利要求1或2所述的温度调节装置,其特征在于:
还包括散热部,其与所述电热元件热接触而将该电热元件的热或者冷热散出。
4.如权利要求1~3中任一项所述的温度调节装置,其特征在于,包括:
壳体,其包括:收纳所述主体部及所述电热元件的收纳空间;和将温度调节介质导入所述收纳空间内的温度调节介质导入端口。
5.如权利要求3所述的温度调节装置,其特征在于,包括:
壳体,其包括:收纳所述主体部、所述电热元件及所述散热部的收纳空间;和将温度调节介质导入所述收纳空间内的温度调节介质导入端口。
6.如权利要求4或5所述的温度调节装置,其特征在于:
所述壳体包括从所述收纳空间排出所述温度调节介质的温度调节介质排出端口。
7.如权利要求6所述的温度调节装置,其特征在于:
从所述温度调节介质排出端口吸引所述温度调节介质并将其排出。
8.如权利要求4~7中任一项所述的温度调节装置,其特征在于:
所述温度调节介质是气体。
9.如权利要求4~7中任一项所述的温度调节装置,其特征在于:
所述温度调节介质是液体。
10.如权利要求1~9中任一项所述的温度调节装置,其特征在于:
所述主体部包括将处理液导入该主体部内的处理液导入口和从该主体部内供出处理液的处理液供出口,
所述流路连接所述处理液导入口与所述处理液供出口,并以在所述处理液导入口与所述处理液供出口之间折返的方式形成,该流路上的最靠近所述电热元件的部分以去往所述处理液供出口的方式形成。
11.如权利要求1~10中任一项所述的温度调节装置,其特征在于:
该温度调节装置对多个所述喷嘴供给所述处理液,
所述流路分别与所述多个喷嘴对应地设置多个,
所述控制部将在所述多个流路中流动的所述处理液一并调节为相同的处理液目标温度。
12.一种液体处理装置,其特征在于,包括:
权利要求1~11中任一项所述的温度调节装置;和
所述喷嘴,
使用由所述温度调节装置进行温度调节后从所述喷嘴释放出的处理液,来处理基片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910337614.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
- 下一篇:加工装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造