[发明专利]环路热管及多孔氮化硅陶瓷的制备方法有效
申请号: | 201910337702.1 | 申请日: | 2019-04-25 |
公开(公告)号: | CN109956751B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 胡海龙;岳建岭;黄小忠 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | F28D15/04 | 分类号: | F28D15/04;C04B35/594;C04B35/596;C04B35/622;C04B38/00 |
代理公司: | 上海韧辰专利代理有限公司 31331 | 代理人: | 刘秋兰 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环路 热管 多孔 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种制备多孔氮化硅陶瓷的方法,其特征在于所述方法采用无压烧结制备多孔氮化硅陶瓷,具体包括如下步骤:
步骤S1,以Si3N4粉为原料,添加烧结助剂,机械湿法球磨混合均匀成浆料,其中,所述烧结助剂包括Y2O3;
步骤S2,将浆料进行消泡、真空脱气后,倒入模具中,于-48℃~-18℃的低温冷腔中完全冷冻固化;
步骤S3,将固化后的样品进行脱模,并快速转移至冷冻干燥机中,在-70℃~-50℃温度、1~20Pa真空度下干燥得到坯体;
步骤S4,将坯体放入马弗炉中,在空气气氛下以2~5℃/min的速率升温至500~600℃,保温以去除有机物杂质,随炉冷却;
步骤S5,将去除有机物杂质后的坯体放置于烧结炉中,在高纯氮气气氛中,先以2~20℃/min升温至900~1200℃,再以3~5℃/min升温1600~1690℃进行烧结,烧结完毕降温至600~1000℃,随炉冷却得到Si3N4多孔陶瓷管;
步骤S1中,Si3N4粉料与烧结助剂:分散剂:Si3N4球的重量比为1:0.8~1.2:0.8~2.5;
步骤S1中,还加入占Si3N4粉料3~6%的PVA粘结剂、2~5%的甘油膨化剂和1~4%NH4PAA消泡剂;
步骤S5中,在0.05MPa~0.1MPa的高纯氮气气氛中进行烧结。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤S1中,使用粒径为0.5~5微米、纯度85~95%的氮化硅粉为原料,用Si3N4球进行机械湿法球磨2~10h其中,湿法球磨时以无水乙醇为分散剂。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:步骤S1中,用Si3N4球进行机械湿法球磨2~4h,Si3N4粉料与烧结助剂:分散剂:Si3N4球的重量比为1:1:1~2;Si3N4粉料:Y2O3的重量比为100: 8。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤S2中,于-30℃的低温冷腔中完全冷冻固化2~12h。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:步骤S2中,于-30℃的低温冷腔中完全冷冻固化8h。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤S3中,在-60℃温度、4Pa真空度下干燥6h~24 h。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于:步骤S3中,在-60℃温度、4Pa真空度下干燥12h。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤S5之前,去除有机物杂质后的坯体在放入烧结炉前,先放入石墨坩埚中,采用质量百分比为1%~30%:70%~99%的Si与Si3N4混合粉料进行埋粉,再置于烧结炉内烧结。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤S4中,将坯体放入马弗炉中,在空气气氛下以3℃/min的速率升温至500℃,保温1~2h以去除有机物杂质,随炉冷却。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于:步骤S4中,保温2h以去除有机物杂质,随炉冷却。
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