[发明专利]用于磁共振设备的梯度线圈单元有效

专利信息
申请号: 201910337888.0 申请日: 2019-04-25
公开(公告)号: CN110412492B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: P.迪茨 申请(专利权)人: 西门子医疗有限公司
主分类号: G01R33/385 分类号: G01R33/385;A61B5/055
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 刘畅
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 磁共振 设备 梯度 线圈 单元
【权利要求书】:

1.一种梯度线圈单元,所述梯度线圈单元包含布置在具有第一半径的第一圆柱体的表面上的第一导体结构、布置在具有第二半径的第二圆柱体的表面上的第二导体结构以及布置在具有第三半径的第三圆柱体的表面上的第三导体结构,其中所述第一半径小于所述第二半径并且所述第二半径小于所述第三半径,

其中所述第一导体结构和/或所述第二导体结构和/或所述第三导体结构不对称地设计,

其中所述第一导体结构在纵向方向上比所述第二导体结构和所述第三导体结构短,以及

其中所述第一导体结构和所述第二导体结构被共同地设计为,用于在由所述第一导体结构包围的检查区域中产生在一个方向上的磁场梯度。

2.根据权利要求1所述的梯度线圈单元,其中所述第三导体结构至少部分地在径向上围绕所述第二导体结构,并且所述第二导体结构至少部分地在径向上围绕所述第一导体结构。

3.根据权利要求1所述的梯度线圈单元,其中所述第一导体结构和/或所述第二导体结构被设计为,用于补偿在产生磁场梯度时在所述梯度线圈单元上形成的转矩。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的梯度线圈单元,其中所述第三导体结构被设计为,用于补偿在借助于第一导体结构和/或第二导体结构产生磁场梯度时形成的漏磁场。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的梯度线圈单元,其中在第二导体结构的伸出区域中,在所述伸出区域中所述第一导体结构在纵向方向上比所述第二导体结构短,所述第二导体结构被设计为,用于减小产生磁场梯度时在所述梯度线圈单元上形成的转矩。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的梯度线圈单元,其中所述梯度线圈单元能够灵活地定位在磁共振设备的患者容纳区域内部。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的梯度线圈单元,其中所述第二导体结构螺旋形地围绕中心点布置。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的梯度线圈单元,其中所述第三导体结构分别螺旋形地围绕至少两个中心点。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的梯度线圈单元,其中所述梯度线圈单元分别包含所述第一导体结构、所述第二导体结构和所述第三导体结构两次,在所述梯度线圈单元的一半的内部分别布置第一导体结构、第二导体结构和第三导体结构,并且所述梯度线圈单元是对称的。

10.一种磁共振设备,该磁共振设备包含根据上述权利要求中任一项所述的梯度线圈单元、梯度控制单元和主磁体。

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