[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一衬底，具有一主动区及一隔离区；

一绝缘层，位于该衬底上；

一晶种层，位于该绝缘层上；

一化合物半导体层，位于该晶种层上；

一栅极结构，位于该化合物半导体层上且位于该主动区中；

一隔离结构，位于该衬底上且位于该隔离区中；

一对导通孔，位于该隔离区中且位于该栅极结构的两侧，其中该对导通孔穿过该隔离结构并接触该晶种层；以及

一源极结构及一漏极结构，位于该衬底上且位于该栅极结构的两侧，其中该源极结构及该漏极结构分别藉由该对导通孔电连接至该晶种层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，化合物半导体层包括：

一缓冲层，位于该晶种层上；

一沟道层，位于该缓冲层上且位于该主动区中；以及

一阻挡层，位于该沟道层上且位于该主动区中。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该绝缘层的厚度在0.5微米至10微米的范围，该缓冲层的厚度在0.5微米至10微米的范围，该沟道层的厚度在300纳米至1微米的范围，以及该阻挡层的厚度在5纳米至30纳米的范围。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，更包括一介电层位于该化合物半导体层上。

5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该栅极结构包括：

一栅极电极层，位于该阻挡层上；以及

一栅极金属层，位于该栅极电极层上且与该栅极电极层电连接。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，更包括一掺杂化合物半导体层，该掺杂化合物半导体层位于该栅极电极层与该阻挡层之间。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该对导通孔更穿过该晶种层并与该绝缘层接触。

8.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该源极结构包括：

一源极电极，位于该主动区中并穿过该阻挡层与该沟道层接触；

一源极接触件，位于该主动区中并穿过该介电层与该源极电极接触；以及

一源极金属层，位于该介电层上且电连接该源极接触件及该对导通孔的其中一者。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该漏极结构包括：

一漏极电极，位于该主动区中并穿过该阻挡层与该沟道层接触；

一漏极接触件，位于该主动区中并穿过该介电层与该漏极电极接触；以及

一漏极金属层，位于该介电层上且电连接该漏极接触件及该对导通孔的其中另一者。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该晶种层包括硅、碳化硅、或氧化铝。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该对导通孔的孔径各自在0.5微米至5微米的范围。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在上视图中，该晶种层包括多个开口位于该主动区中。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，在上视图中，所述多个开口排列成一矩阵。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，在上视图中，所述多个开口彼此交错排列。