[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

本文提供的可以是存储器装置及其操作方法。该存储器装置可以包括：存储器块，其包括多个选择晶体管；外围电路，其被配置为对存储器块执行编程操作和读取操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路以执行编程操作和读取操作，并且基于对多个选择晶体管的阈值电压监视操作来调整和设置要被施加到多个选择晶体管的选择晶体管操作电压的电位水平。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年8月13日提交的韩国专利申请号10-2018-0094632的优先权，其全部公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开的各种实施例一般地涉及电子装置。特别地，实施例涉及存储器装置及其操作方法。

背景技术

计算机环境范例已经转向普适计算，这使得计算机系统能够被随时随地使用。作为结果，诸如移动电话、数字相机和笔记本电脑之类的便携式电子装置的使用迅速增加。通常，这种便携式电子装置使用采用存储器装置的存储器系统，换句话说，使用数据储存装置。数据储存装置用作便携式电子装置的主存储器装置或辅助存储器装置。

由于不存在机械驱动部件，使用存储器装置的数据储存装置提供诸如优异的稳定性和耐用性、高信息访问速度和低功耗之类的优点。具有这些优点的数据储存装置的示例可以包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡以及固态驱动器(SSD)。

存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

尽管读取和写入速度相对较低，但即使在电源中断时，非易失性存储器装置也可以保留存储在其中的数据。因此，无论存储器装置是否连接到电源，当存储的数据都必须被保留时，使用非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的代表性示例包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。闪存可以是NOR型存储器或NAND型存储器。

发明内容

本公开的各种实施例涉及存储器装置及其操作方法，其中根据选择晶体管的阈值电压分布来设置要被施加到每个选择晶体管的电压水平。

本公开的实施例可以提供一种存储器装置，包括：存储器块，其包括多个选择晶体管；外围电路，其被配置为对所述存储器块执行编程操作和读取操作；以及控制逻辑，其被配置为控制所述外围电路以执行所述编程操作和所述读取操作，并且基于对所述多个选择晶体管的阈值电压监视操作来调整和设置要被施加到所述多个选择晶体管的选择晶体管操作电压的电位水平。

本公开的实施例可以提供一种存储器装置，包括：存储器块，其包括多个选择晶体管；外围电路，其被配置为对所述多个选择晶体管执行阈值电压监视操作；以及控制逻辑，其被配置为控制所述外围电路，并且作为所述阈值电压监视操作的结果，当所述多个选择晶体管之中的在较低阈值电压分布中的第一选择晶体管的数目落在第一设置范围内时，降低要被施加到所述多个选择晶体管的选择晶体管操作电压，并且当所述多个选择晶体管之中的在较高阈值电压分布中的第二选择晶体管的数目落在第二设置范围内时，提高所述选择晶体管操作电压。

本公开的实施例可以提供一种操作存储器装置的方法，包括：使用第一读取电压来对存储器块中的多个选择晶体管执行第一读取操作；基于作为所述第一读取操作的结果而读取的数据，确定所述多个选择晶体管之中的在小于所述第一读取电压的较低阈值电压分布区域中的第一选择晶体管的数目；以及当所述第一选择晶体管的数目落在第一设置范围内时，降低要被施加到所述多个选择晶体管的选择晶体管操作电压的电位水平。