[发明专利]存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法

说明书

公开了一种存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：驱动器，驱动与外部装置连接的数据线；内部ZQ管理器，产生内部ZQ开始信号；选择器，基于ZQ模式选择内部ZQ开始信号和来自外部装置的ZQ开始命令中的一个；ZQ校准引擎，通过响应于选择器的选择结果执行ZQ校准来产生ZQ码；以及ZQ码寄存器，响应于来自外部装置的ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动器上。

本申请要求于2018年5月25日在韩国知识产权局提交的序列号为10-2018-0059450的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部合并到本申请中。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及半导体存储器，更具体地，涉及存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。

背景技术

半导体存储器装置被分类为在断电时丢失存储在其中的数据的易失性存储器装置(诸如，静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM))和即使在断电时也保留存储在其中的数据的非易失性存储器装置(诸如，只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM))。

DRAM装置通过数据线与外部装置(例如，诸如应用处理器(AP)的片上系统(SoC))交换数据。为了准确地发送并接收数据，DRAM装置可执行各种维护操作。例如，DRAM装置可通过经由周期性ZQ校准来调节包括在DRAM装置中的驱动器的强度或设置片上终结电阻(ODT)值，提高发送/接收信号的可靠性。然而，由于维护操作(诸如，ZQ校准)由存储器控制器或布置在DRAM装置外部的SoC管理或控制，因此维护操作充当存储器控制器或SoC的开销。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，一种存储器装置包括：驱动器，驱动与外部装置连接的数据线；内部ZQ管理器，产生内部ZQ开始信号；选择器，基于ZQ模式选择内部ZQ开始信号和来自外部装置的ZQ开始命令中的一个；ZQ校准引擎，通过响应于选择器的选择结果执行ZQ校准来产生ZQ码；以及ZQ码寄存器，响应于来自外部装置的ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动器上。

根据本发明构思的示例性实施例，一种通过数据线与外部装置连接的存储器装置的操作方法包括：基于ZQ模式选择从外部装置接收到的ZQ开始命令和内部产生的内部ZQ开始信号中的一个，通过响应于选择的结果执行ZQ校准来产生ZQ码，从外部装置接收ZQ锁存命令，并且响应于ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动数据线的驱动器上。

根据本发明构思的示例性实施例，一种存储器系统包括：存储器控制器，发出ZQ开始命令；以及存储器装置，在ZQ模式是外部ZQ模式的情况下响应于ZQ开始命令执行ZQ校准，并且在ZQ模式是内部ZQ模式的情况下响应于内部产生的内部ZQ开始信号执行ZQ校准。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例实施例，本发明构思的以上和其它目的和特征将变得显而易见。

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的存储器系统的框图。

图2是详细示出根据本发明构思的示例性实施例的图1的存储器装置的框图。

图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的存储器系统的框图。

图4是示出根据本发明构思的示例性实施例的图3的存储器装置的外部ZQ校准的流程图。

图5是用于描述根据本发明构思的示例性实施例的图4的流程图的操作的示图。

图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的图3的存储器装置的内部ZQ校准的流程图。

图7是用于描述根据本发明构思的示例性实施例的图6的流程图的操作的示图。