[发明专利]一种支撑托盘和硅处理装置

说明书

本发明提供一种支撑托盘和硅处理装置，支撑托盘用于支撑多瓣坩埚，所述支撑托盘上与所述多瓣坩埚上的缝隙相应的位置分别形成有凹槽，用于容纳从所述多瓣坩埚的缝隙流出的溶液。根据本发明的支撑托盘，能够用于支撑多瓣坩埚，通过在支撑托盘上与多瓣坩埚上的缝隙相应的位置分别形成有凹槽，解决了溶液从缝隙发生溢流后易于损伤其他结构部件的问题，能够通过凹槽来容纳从多瓣坩埚的缝隙流出的溶液，防止溶液的溢流，避免溶液对其他结构造成损坏，该支撑托盘结构简单，实用性强。

技术领域

本发明涉及晶硅技术领域，特别涉及一种支撑托盘和硅处理装置。

背景技术

在半导体晶体生长过程中，首先将硅原料装入坩埚中融化原料，然后进行拉晶。为了降低杂质的引入，使用石英坩埚盛装硅原料，但是高温下石英坩埚会发生软化，因此，石英坩埚外部使用石墨坩埚作为支撑，石墨坩埚一般为三瓣式，如果石英坩埚存在细小裂纹或者孔洞，在高温下发生扩张变大，熔融态的硅液将发生溢流，高温熔融的硅液外流到底部保温层及排气管道等部位，将造成永久性损伤，难以修复，影响装置的使用。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种支撑托盘和硅处理装置，用以解决坩埚中溶液溢流后损伤其他结构部件的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

根据本发明第一方面实施例的支撑托盘，用于支撑多瓣坩埚，所述支撑托盘上与所述多瓣坩埚上的缝隙相应的位置分别形成有凹槽，用于容纳从所述多瓣坩埚的缝隙流出的溶液。

进一步地，所述支撑托盘包括有多个所述凹槽，且多个所述凹槽沿所述支撑托盘的周向间隔开分布。

进一步地，所述支撑托盘包括有三个所述凹槽且三个所述凹槽沿所述支撑托盘的周向均匀间隔开分布。

进一步地，所述支撑托盘上形成有用于放置所述多瓣坩埚且与所述凹槽连通的沉槽，多个所述凹槽沿所述沉槽的周向间隔开分布。

进一步地，所述支撑托盘的底部设有支撑杆。

根据本发明第二方面实施例的硅处理装置，包括：

上述实施例所述的支撑托盘；

多瓣坩埚，所述多瓣坩埚设在所述支撑托盘上，所述多瓣坩埚上的缝隙与所述支撑托盘上的凹槽相对应，以使所述凹槽容纳从所述多瓣坩埚的缝隙流出的溶液。

进一步地，所述多瓣坩埚上包括多个所述缝隙，所述支撑托盘上包括多个所述凹槽且所述缝隙与所述凹槽的数量相等，每个所述缝隙对应一个所述凹槽。

进一步地，所述支撑托盘上形成有与所述凹槽连通的沉槽，多个所述凹槽沿所述沉槽的周向间隔开分布，所述多瓣坩埚设在所述沉槽中。

进一步地，所述硅处理装置还包括：

石英坩埚，所述石英坩埚设置于所述多瓣坩埚中。

进一步地，所述硅处理装置还包括：

炉体，所述支撑托盘设置于所述炉体内；

加热器，所述加热器用于加热所述多瓣坩埚；

保温层，所述保温层设置于所述炉体的内侧壁上。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

根据本发明的支撑托盘，能够用于支撑多瓣坩埚，通过在支撑托盘上与多瓣坩埚上的缝隙相应的位置分别形成有凹槽，解决了溶液从缝隙发生溢流后易于损伤其他结构部件的问题，能够通过凹槽来容纳从多瓣坩埚的缝隙流出的溶液，防止溶液的溢流，避免溶液对其他结构造成损坏，该支撑托盘结构简单，实用性强。

附图说明

图1为本发明实施例的支撑托盘的结构示意图；