[发明专利]一种区域性分层沉积扩散工艺有效
| 申请号： | 201910339128.3 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110164759B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 黎剑骑;孙涌涛;楼城侃;王富强 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏;薄盈盈 |
| 地址： | 322118 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 区域性 分层 沉积 扩散 工艺 | ||
1.一种区域性分层沉积扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将P型原始硅片清洗、制绒后，放入石英舟，并推入扩散炉的炉管内；
（2）将扩散炉升温至680~720℃，通入氮气和氧气，对制绒后的硅片进行预氧化；
（3）向扩散炉中通入低浓度POCl3、氮气和氧气，对预氧化后的硅片进行低温低浓度磷源沉积；所述低浓度POCl3体积流量为200~300sccm；所述氧气的体积流量为700~800sccm，所述氮气的体积流量为1000~1200sccm；低温低浓度磷源沉积过程中炉管压力控制在50~150mbar；低温低浓度磷源沉积时间控制在3~5min；
（4）将扩散炉升温至730~820℃，通入中浓度POCl3、氮气和氧气，对低温低浓度磷源沉积后的硅片进行高温中浓度磷源沉积；所述中浓度POCl3体积流量为500~700sccm；所述氧气的体积流量为1000~1200sccm；所述氮气的体积流量为1200~1500sccm；
（5）将扩散炉升温至850~920℃，通入氮气，在高温中浓度磷源沉积后的硅片表面形成PN结；高温中浓度磷源沉积过程中炉管压力控制在200~300mbar；高温中浓度磷源沉积时间控制在1~3min；
（6）将扩散炉降温至680~720℃，通入高浓度POCl3、氮气和氧气，对步骤（5）处理后的硅片进行低温高浓度磷源沉积；所述高浓度POCl3体积流量为900~1000sccm；所述氧气的体积流量为500~700sccm，所述氮气的体积流量为800~1000sccm；
（7）将扩散炉降温冷却，推出石英舟，将步骤（6）处理后的硅片取出。
2.根据权利要求1所述的一种区域性分层沉积扩散工艺，其特征在于，步骤（2）中，所述氧气的体积流量为3000~5000sccm；所述氮气的体积流量为3000~5000sccm。
3.根据权利要求1所述的一种区域性分层沉积扩散工艺，其特征在于，步骤（2）中，预氧化过程中炉管压力控制在50~150mbar；预氧化时间控制在10~15min。
4.根据权利要求1所述的一种区域性分层沉积扩散工艺，其特征在于，步骤（5）中，所述氮气的体积流量为2000~3500sccm；炉管压力控制在700~900mbar；形成PN结的时间控制在15~20min。
5.根据权利要求1所述的一种区域性分层沉积扩散工艺，其特征在于，步骤（6）中，低温高浓度磷源沉积过程中炉管压力控制在200~300mbar；低温高浓度磷源沉积时间控制在10~15min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
