[发明专利]岩心核磁共振T2 有效
申请号: | 201910340453.1 | 申请日: | 2019-04-25 |
公开(公告)号: | CN109916943B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 任晓娟;张鑫 | 申请(专利权)人: | 西安石油大学 |
主分类号: | G01N24/08 | 分类号: | G01N24/08;G01V5/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710065 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 岩心 核磁共振 base sub | ||
本发明公开岩心核磁共振T2谱图驰豫时间与压汞孔喉半径转换方法,处理岩心,再对岩心进行核磁共振实验,测得核磁共振的横向驰豫时间T2与信号强度,并计算信号强度累积百分数;将岩心再处理以及进行高压压汞实验,测得孔喉半径r与进汞饱和度Shg,以及高压压汞曲线;在核磁共振横向驰豫时间T2的任意时刻T2(i)处的信号强度累积百分数为Sheci(i),以Sheci(i)为标准对高压压汞曲线进行插值,得到与横向驰豫时间T2(i)对应的孔喉半径r(i);分别选取插值得到的横向驰豫时间T2(i)与孔喉半径r(i)的两端值并对两端值进行分段拟合,求得两端处横向驰豫时间与孔喉半径的关系,得到的关系计算与剩余T2(i)对应的r(i)。该方法计算难度小、结果较准确,能够有效将核磁共振T2时间转换为孔喉半径。
技术领域
本发明属于油气层物理技术领域,具体涉及岩心核磁共振T2谱图驰豫时间与压汞孔喉半径转换方法。
背景技术
核磁共振机理表明,当样品孔隙中充满流体时,H+在孔隙中作横向弛豫运动,H+与孔隙壁会产生碰撞作用,运动造成H+能量损失,使H+从高能态回到低能态,即H+的横向弛豫过程。碰撞越频繁,H+的能量损失越快,显然,孔隙的大小决定了H+与孔隙壁碰撞过程的多少,孔隙越小,H+在进行横向弛豫过程中与孔隙碰撞机率越大,因此可以认为孔隙的大小与H+的弛豫率呈反比关系,即孔隙越小,H+的横向弛豫率越高,对应的弛豫时间越短;孔隙越大,H+的横向弛豫率越低,对应的弛豫时间越长。同时,核磁共振弛豫谱分布范围越宽,幅度越低,孔喉分选性越差。这就是应用核磁共振资料研究岩石孔隙结构的理论基础。
目前,核磁共振横向驰豫时间与高压压汞孔喉半径的转换主要根据理论公式转换方法分为两种,一种是毛管压力图的转换,一种是孔喉半径频率图的转换,这两种方法的关键在于求取C值与n值。假定一个C值与n值,将核磁共振时间T2转换为孔喉半径r,将转换后的核磁共振曲线与高压压汞曲线放于同一个坐标图中。转换后的核磁共振曲线横坐标为r,纵坐标为核磁共振信号强度累积百分数;高压压汞曲线横轴为孔喉半径,纵轴为进汞饱和度。转换过程中不断变化C与n的值,使转换后的核磁曲线与高压压汞曲线最相似,即完成转换。这种转换方法计算复杂、步骤多,并且最终拟合结果误差大。
发明内容
为解决现有技术中存在的问题,本发明提供一种岩心核磁共振T2谱图驰豫时间与压汞孔喉半径转换方法,该方法计算难度小、结果较准确,能够有效将核磁共振T2时间转换为孔喉半径,有利于基于核磁共振技术对孔喉半径的研究。
本发明采用的技术方案如下:
岩心核磁共振T2谱图驰豫时间与压汞孔喉半径转换方法,包括如下步骤:
步骤1,将岩心洗油、烘干以及进行饱和,再对岩心进行核磁共振实验,测得核磁共振的横向驰豫时间T2与信号强度,将横向驰豫时间T2与信号强度按横向驰豫时间由大到小的顺序排列,并计算信号强度累积百分数;
步骤2,将岩心洗油、烘干以及进行高压压汞实验,测得孔喉半径r与进汞饱和度Shg,将进汞饱和度Shg转换为拟累积进汞饱和度S′hg,根据孔喉半径r与拟累积进汞饱和度S′hg获得高压压汞曲线;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安石油大学,未经西安石油大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910340453.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:捕收剂的电子显微镜表征方法
- 下一篇:一种烧结杯试验方法及烧结杯
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法