[发明专利]半导体衬底管芯锯切切单系统和方法

说明书

本申请涉及半导体衬底管芯锯切切单系统和方法。切割半导体衬底的方法的实施方式可包括：使锯片与半导体衬底的非立方晶格的晶面基本上垂直地对准，并且以与半导体衬底的非立方晶格的晶面基本上垂直的角度切割穿过所述半导体衬底。

技术领域

本文件的各方面整体涉及对半导体衬底进行切单。更具体的实施方式涉及对碳化硅半导体衬底进行切单。

背景技术

通常形成半导体衬底并对其进行切单以便形成半导体管芯。通常使用划片锯切工艺来锯切半导体衬底以从衬底分离管芯。

发明内容

切割半导体衬底的方法的实施方式可包括：使锯片与半导体衬底的非立方晶格的晶面基本上垂直地对准，并且以与半导体衬底的非立方晶格的晶面基本上垂直的角度切割穿过半导体衬底。

切割半导体衬底的方法的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

非立方晶格可为六方的。

晶面可与半导体衬底的最大平面表面成四度的角度。

可通过相对于半导体衬底倾斜来对准锯片。

可通过使半导体衬底相对于锯片倾斜来对准锯片。

切割碳化硅半导体衬底的方法的实施方式可包括使锯片与碳化硅半导体衬底的晶格的偏角基本上垂直地对准，并且使用锯片以基本上垂直的角度切割穿过碳化硅半导体衬底。

切割碳化硅半导体衬底的方法的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

锯片可包括金刚石。

晶面可相对于碳化硅半导体衬底的最大平面表面成四度的角度。

可通过相对于半导体衬底倾斜来对准锯片。

可通过使半导体衬底相对于锯片倾斜来对准锯片。

对碳化硅半导体衬底进行切单的方法的实施方式可包括使锯片与碳化硅半导体衬底的c轴基本上平行地对准，并且通过以与碳化硅半导体衬底的c轴基本上平行的角度切割碳化硅半导体衬底将碳化硅半导体衬底切单成多个半导体管芯。

对碳化硅半导体衬底进行切单的方法的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

该方法还可包括使锯片相对于碳化硅半导体衬底从第一位置倾斜到第二位置，并且沿第一方向切割碳化硅半导体衬底。

该方法还可包括使锯片倾斜回到第一位置。

该方法还可包括使碳化硅半导体衬底相对于锯片倾斜，并且切割处于第二位置的碳化硅衬底。

锯片可包括金刚石。

晶面可相对于碳化硅半导体衬底的最大平面表面成四度的角度。

所述多个半导体管芯中的每个半导体管芯的第一侧壁和第二侧壁可各自相对于每个半导体管芯的最大平面表面成一定角度。

所述多个半导体管芯中的每个半导体管芯的第三侧壁和第四侧壁可各自基本上垂直于每个半导体管芯的最大平面表面。

对于本领域的普通技术人员而言，通过说明书和附图并且通过权利要求书，上述以及其他方面、特征和优点将会显而易见。

附图说明

将在下文中结合附图来描述各实施方式，其中类似标号表示类似元件，并且：

图1是半导体衬底的剖面侧视图，其中锯片与半导体衬底的最大平面表面垂直地对准；

图2是半导体衬底的剖面侧视图，其中锯片与半导体衬底的晶面垂直地对准；并且