[发明专利]半导体衬底裂纹缓解系统和相关方法

权利要求书

1.一种用于愈合半导体衬底中的裂纹的方法，所述方法包括：

识别半导体衬底中的裂纹；以及

加热所述半导体衬底的包括所述裂纹的区域，直到所述裂纹愈合；

其中所述半导体衬底包含碳化硅。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：电子地识别所述半导体衬底的所述加热的区域；处理所述半导体衬底；以及从所述半导体衬底的一部分形成多个半导体管芯，而排除从所述半导体衬底的所述加热的区域形成的半导体管芯用于进一步功能用途。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括通过所述半导体衬底的所述加热的区域的受控冷却、受控加热和受控加热与受控冷却中的一者形成所述半导体衬底的所述加热的区域的与所述半导体衬底的其余部分相同的晶体取向。

4.根据权利要求1所述的方法，其中使用激光器来加热所述半导体衬底的区域。

5.一种用于缓解半导体衬底中的裂纹的传播的方法，所述方法包括：

识别半导体衬底中的裂纹；

移除所述半导体衬底的包括所述裂纹的一部分；

将所述半导体衬底耦接到承载衬底；

在将所述半导体衬底耦接到所述承载衬底时，完成对所述半导体衬底的处理；以及

从中形成多个半导体管芯；

其中所述半导体衬底包含碳化硅。

6.根据权利要求5所述的方法，其中移除所述半导体衬底的一部分包括蚀刻所述半导体衬底的所述部分。

7.根据权利要求5所述的方法，其中移除所述半导体衬底的一部分包括抛光所述半导体衬底的侧壁。

8.一种用于愈合晶锭中的裂纹的方法，所述方法包括：

识别晶锭中的裂纹；以及

加热所述晶锭的包括所述裂纹的区域，直到所述裂纹愈合；

其中所述晶锭包含碳化硅。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括电子地识别所述晶锭的所述加热的区域、处理所述晶锭，以及从所述晶锭形成多个半导体衬底。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括通过所述晶锭的所述加热的区域的受控冷却、受控加热和受控冷却与受控加热中的一者形成所述晶锭的所述加热的区域的与所述半导体衬底的其余部分相同的晶体取向。