[发明专利]利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄复合金属电极的方法及应用

权利要求书

1.利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄金属复合电极的方法，其特征在于，具体步骤如下：

（1）、PDMS模板浇筑制备；

具体步骤为：首先，将聚二甲基硅氧烷（PDMS）与固化剂以质量比10:1混合，充分搅拌并进行离心，除去内部气泡；然后，取具有微纳光栅结构的硅模板，将均匀混合的PDMS预聚物倾倒在硅模板上，静置20min待其自流平，形成PDMS膜；随后，将其置于烘箱中烘烤，使其固化；最后，将完全固化的PDMS膜从硅模板上揭下，得到具有微纳光栅反结构的PDMS模板；

（2）、压印衬底清洗与修饰；

具体步骤为：所用压印衬底为玻璃衬底，所用衬底修饰层材料为SU-8 2025负性光刻胶；首先，将玻璃衬底依次置于丙酮、乙醇去离子水中分别超声清洗15min，并放入95℃的热风烘箱中干燥10 min；然后，使用环戊酮将SU-8光刻胶稀释至0.1g/ml,超声30min辅助溶解，并在室温下搅拌24h；最后，将稀释后的SU-8光刻胶旋涂至处理好的玻璃衬底上，并进行前烘，以除去其中的挥发性溶剂，得到具有SU-8修饰层的压印衬底；

（3）、超薄复合金属电极蒸镀、热纳米压印；

具体步骤为：首先，将压印衬底置于真空蒸镀仪中，依次蒸镀超薄银膜和金膜，得到超薄复合金属电极；然后，将步骤（1）得到的具有微纳光栅反结构的PDMS模板覆盖在超薄复合金属电极上，并置于纳米压印机中进行热压印；压印完成后，对样品进行紫外曝光，使超薄复合金属电极下方的SU-8光刻胶固化，并冷却；最后，将最上方的PDMS模板揭下，得到具有微纳光栅结构的超薄复合金属电极。

2.如权利要求1所述的利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄金属复合电极的方法，其特征在于，步骤（1）所述PDMS离心转速为5000-9000r/min，离心时间为1-4min；所用硅模板上的微纳光栅结构周期为260-650nm；所用固化PDMS模板的烘烤温度为90-120℃，时间为1h-6h。

3.如权利要求1所述的利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄金属复合电极的方法，其特征在于，步骤（2）所述旋涂SU-8光刻胶的转速为1000-5000r/min，时间为20-120s，形成膜厚为100-500nm；所用前烘光刻胶的温度为80-100℃，时间为10-60min。

4.如权利要求1所述的利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄金属复合电极的方法，其特征在于，步骤（3）所述蒸镀超薄复合金属电极的真空度为1.0×10^-5 ‒ 5×10^-4Pa，蒸镀银膜的厚度为1-3nm，沉积速率为0.5Å/s-1.5 Å/s，蒸镀金膜的厚度为3-8nm，沉积速率为0.4Å/s-1.5Å/s。

5.如权利要求1所述的利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄金属复合电极的方法，其特征在于，所述的热纳米压印的加压为3-8MPa，所用温度为80-150℃，时间为10-40min。

6.如权利要求1所述的利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄金属复合电极的方法，其特征在于，所述的紫外曝光时间为1-5min，冷却时间3-10min。

7.如权利要求1所述的利用热纳米压印制备具有微纳光栅结构的超薄金属复合电极的方法制备出的复合金属电极在有机发光器件方面的应用。