[发明专利]基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法

权利要求书

1.基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法，其特征是：该方法由以下步骤实现：

步骤一、选择单色Micro-LED阵列(3)；提供基板(4)，并在所述基板(4)上制备凹槽阵列(5)；所述凹槽阵列(5)中凹槽总数与单色Micro-LED阵列中Micro-LED芯片总数相同；

所述单色Micro-LED阵列(3)的光源为蓝光；制作方法为：

将蓝宝石衬底(17)的GaN基LED外延片(2)和Si基CMOS有源驱动背板(1)晶圆级键合后，激光剥离蓝宝石衬底(17)后，采用ICP刻蚀等技术制备出单像素可独立定址驱动的单色Micro-LED阵列(3)；

步骤二、在所述凹槽阵列(5)的每个凹槽侧壁蒸镀金属层(6)，在每个凹槽底部镀膜制备DBR反射层(7)；

步骤三、将红光量子点材料(8)按照每隔两列填充一列的方式填充到所述凹槽阵列(5)中的DBR反射层(7)上；

将绿光量子点材料(9)按照每隔两列填充一列的方式填充到所述凹槽阵列(5)中的DBR反射层(7)上；

步骤四、将量子点材料保护层(10)填充到所述凹槽阵列(5)中的每个凹槽内，获得量子点光转换层基板(16)；

步骤五、将步骤四获得的量子点光转换层基板(16)倒扣于单色Micro-LED阵列(3)上方，制作完成全彩Micro-LED显示器件。

2.根据权利要求1基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于：所述凹槽阵列(5)中每个凹槽的尺寸大于单色Micro-LED阵列(3)中单颗Micro-LED芯片的横向尺寸，每个凹槽的深度大于单颗Micro-LED芯片的高度。

3.根据权利要求1基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于：所述基板(4)为玻璃基板或聚合物基板，凹槽阵列(5)为采用刻蚀、纳米压印或借助Si模板倒模的方法制备。

4.根据权利要求1基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于：步骤二中，所述金属层(6)为金属材料Al或金属Ag材料；

采用碳颗粒掺杂的黑树脂制作的隔光黑矩阵材料替换金属层(6)。

5.根据权利要求1基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于：所述红光量子点材料(8)和绿光量子点材料(9)为量子点溶液、量子点粉末或量子点-聚合物粉末。

6.根据权利要求1基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于：

红光量子点材料(8)为CdSe、InP、ZnCuInS或钙钛矿量子点材料，采用的量子点材料为水相量子点或油相量子点；

绿光量子点材料(9)为CdSe、碳点、InP、ZnCuInS或钙钛矿量子点材料，采用的量子点材料为水相量子点或油相量子点。

7.根据权利要求1基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于：所述量子点材料保护层(10)采用聚合物材料旋涂或低温沉积SiO₂进行封装。

8.根据权利要求1基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于：所述红光量子点材料(8)和绿光量子点材料(9)的填充通过转印、喷墨打印、雾化喷涂或旋涂的方式实现。

9.根据权利要求1基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于：步骤五中，量子点光转换层基板(16)和单色Micro-LED阵列(3)的集成采用显微镜对准，通过倒装焊设备压合。