[发明专利]自触发选通激光成像装置

权利要求书

1.一种自触发选通激光成像装置，其特征在于，玻璃窗口(1)封堵于绝缘壳体(2)一端，自该端在绝缘壳体(2)内部依次镶嵌光电阴极(3)、一级微通道板(4)、微孔阵列栅极(5)、二级微通道板(6)，荧光屏(7)封堵于绝缘壳体(2)另一端，荧光屏(7)出光一侧依次接光纤光锥(8)、选通摄像机(9)；微孔阵列栅极(5)其结构特点为：在圆形薄板状玻璃基体中沿轴向密布微米级通孔(10)，所有通孔(10)平行且与所述玻璃基体轴线成7～15°角，在所述玻璃基体顶面镀有金属膜作为触发信号旁路电极(11)；微孔阵列栅极(5)的底面与二级微通道板(6)的入射端面接触；触发信号旁路电极(11)接触发电路的触发信号输入端，触发电路的选通信号输出端分别与脉冲电源、控制电路各自的选通信号输入端连接，脉冲电源的两个电极端分别接一级微通道板(4)的出射端面电极和二级微通道板(6)的入射端面电极，在该两个电极之间加入50～100V反向电压或者200～250V正向电压；控制电路的驱动信号输出端接选通摄像机(9)的电子快门。

2.根据权利要求1所述的自触发选通激光成像装置，其特征在于，玻璃窗口(1)材质为透红外玻璃。

3.根据权利要求1所述的自触发选通激光成像装置，其特征在于，所述光电阴极(3)厚度为5mm，直径为25mm，是一种GaAs光电阴极。

4.根据权利要求1所述的自触发选通激光成像装置，其特征在于，所述一级微通道板(4)、二级微通道板(6)直径为27mm，有效口径为18.4mm，通道孔径为20μm，通道孔距为8μm，厚度为0.3mm，长径比为15。

5.根据权利要求1所述的自触发选通激光成像装置，其特征在于，所述圆形薄板状玻璃基体的直径为23mm，厚度为0.3mm；通孔(10)孔径为一级微通道板(4)、二级微通道板(6)通道孔径的三分之一；所述金属膜为铝膜，厚度为630nm，所述金属膜自所述玻璃基体顶面延伸到每个通孔(10)孔口深30nm的内壁上。

6.根据权利要求1所述的自触发选通激光成像装置，其特征在于，所述荧光屏(7)其结构特点为：在玻璃基底表面分布导电膜，导电材料为氧化铟锡或者掺氟氧化锡，在导电膜上分布荧光层，荧光材料为ZnO或者CsPbX₃，X为Cl、Br、I之一。

7.根据权利要求1所述的自触发选通激光成像装置，其特征在于，光电阴极(3)与一级微通道板(4)之间的电压为200V；一级微通道板(4)、二级微通道板(6)各自的两端电压均为800～1000V；二级微通道板(6)与荧光屏(7)之间的电压为2000～4000V。

8.根据权利要求1所述的自触发选通激光成像装置，其特征在于，所述选通摄像机(9)的光电传感器件为CMOS或者ICCD。